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  • [正版]高压厚膜SOI LIGBT器件关键技术 张龙 孙伟锋 刘斯扬编著 电子通信 凤凰书店 书籍
  • 正版图书 品质保障
    • 作者: 张龙,孙伟锋,刘斯扬著
    • 出版社: 人民邮电出版社
    • 出版时间:2023-07
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    • 作者: 张龙,孙伟锋,刘斯扬著
    • 出版社:人民邮电出版社
    • 出版时间:2023-07
    • ISBN:9787085288446
    • 版权提供:人民邮电出版社

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    第 1章 绪论 1
    1.1 单片智能功率芯片与厚膜SOI工艺 1
    1.1.1 单片智能功率芯片 1
    1.1.2 厚膜SOI工艺 2
    1.1.3 LIGBT器件及其应用需求 3
    1.2 高压厚膜SOI-LIGBT器件的研究现状 6
    1.2.1 互连线技术 6
    1.2.2 电流密度提升技术 7
    1.2.3 短路鲁棒性 8
    1.2.4 关断鲁棒性 10
    1.2.5 快速关断技术 11
    1.3 本书内容 12
    参考文献 13
    第 2章 高压厚膜SOI-LIGBT器件的基本原理 20
    2.1 耐压原理 20
    2.2 导通原理 22
    2.3 关断原理 24
    2.3.1 开关波形 24
    2.3.2 关断的物理过程 26
    2.4 短路过程与失效机理 27
    参考文献 32
    第3章 高压厚膜SOI-LIGBT器件的互连线技术 33
    3.1 HVI导致击穿电压下降的机理 33
    3.2 等深双沟槽互连线技术 35
    3.3 非等深双沟槽互连线技术 41
    3.4 本章小结 49
    参考文献 50
    第4章高压厚膜SOI-LIGBT器件的电流密度提升技术 51
    4.1 电流密度与闩锁电压的折中关系 51
    4.2 直角U型沟道技术 55
    4.3 非直角U型沟道技术 60
    4.4 本章小结 70
    参考文献 71
    第5章高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性 73
    5.1 关断鲁棒性 73
    5.1.1 多跑道并联SOI-LIGBT器件的非一致性关断特性 73
    5.1.2 非一致性关断行为的改进 83
    5.2 短路鲁棒性 84
    5.2.1 双栅控制型器件及其短路能力 84
    5.2.2 沟槽栅U型沟道器件的特性 89
    5.2.3 平面栅与沟槽栅U型沟道器件的短路特性对比 94
    5.3 开启电流过冲与di/dt控制技术 104
    5.3.1 U型沟道SOI-LIGBT器件的di/dt可控性 104
    5.3.2 预充电控制技术 106
    5.4 击穿电压漂移现象 110
    5.4.1 低温动态雪崩测试 111
    5.4.2 动态雪崩稳定性机理 113
    5.4.3 优化策略讨论 118
    5.5 本章小结 122
    参考文献 122
    第6章高压厚膜SOI-LIGBT器件的快速关断技术 127
    6.1 漂移区深沟槽技术 127
    6.1.1 漂移区双沟槽器件及其关断特性 127
    6.1.2 漂移区三沟槽器件及其关断特性 135
    6.2 电压波形平台的产生机理与消除技术 144
    6.2.1 电压波形平台的产生机理 145
    6.2.2 电压波形平台的消除技术 148
    6.3 复合集电极技术 156
    6.3.1 复合集电极结构与原理 157
    6.3.2 复合集电极SOI-LIGBT器件的特性 160
    6.4 横向超结技术 165
    6.4.1 横向超结的排列方式 166
    6.4.2 关断过程电压波形分析 168
    6.4.3 横向超结优化策略 174
    6.5 阳极短路技术 178
    6.5.1 结构和工作机理 178
    6.5.2 电学特性 183
    6.6 本章小结 188
    参考文献 189
    第7章高压厚膜SOI-LIGBT器件工艺流程与版图设计 193
    7.1 工艺流程 193
    7.2 版图设计 196
    7.2.1 直条区域 196
    7.2.2 拐角区域与HVI 197
    7.2.3 跑道和隔离沟槽 197
    参考文献 198
    符号、变量注释表 199
    缩略语 201
     

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