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诺森瞬时电离辐效应陈伟[等]著9787030740441科学出版社
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丛书序
前言
章 绪论 1
1.1 引言 1
1.2 核辐环境及其效应 1
1.2.1 核r线及其效应 2
1.2.2 核X线及其效应 3
1.. 核中子辐环境及其效应 3
1.3 瞬时电离辐效应 4
1.3.1 过剩载流子的产生、复合及输运 4
1.3.2 辐感生光电流的产生 5
1.3.3 晶体管的瞬时电离辐效应 6
1.3.4 集成电路的瞬时错误 7
1.3.5 集成电路的瞬时辐闩锁 8
1.3.6 瞬时辐烧毁 11
1.4 本书内容 11
参考文献 12
第2章 模拟集成电路瞬时电离辐效应 14
2.1 引言 14
2.2 模拟集成电路瞬时电离辐效应机理 14
2.2.1 瞬时扰动 14
2.2.2 瞬时辐闩锁 16
. 不同工艺集成运算放大器瞬时电离辐效应 17
..1 双极运算放大器 18
..2 BiMOS运算放大器 19
.. CMOS运算放大器 20
..4 不同工艺运算放大器效应规律 22
2.4 低压差线稳压器瞬时电离辐效应
2.4.1 两管能隙基准源低压差线稳压器 24
2.4.2 三管能隙基准源低压差线稳压器 27
2.4.3 CMOS工艺低压差线稳压器 30
2.4.4 低压差线稳压器瞬时电离辐效应总结 31
2.5 正交设计法 31
2.5.1 正交设计法概述 32
2.5.2 正交设计法的应用 33
2.6 模拟集成电路瞬时电离辐效应理论模拟 38
2.6.1 电路结构 38
2.6.2 模型建立 39
2.6.3 模拟结果 41
2.7 模拟集成电路瞬时电离辐扰动机理 42
2.8 小结 43
参考文献 43
第3章 大规模数字集成电路瞬时电离辐效应 45
3.1 引言 45
3.2 基本原理 45
3.2.1 瞬时辐翻转 46
3.2.2 瞬时辐闩锁 51
3.3 试验测试 52
3.3.1 瞬态信号测试 52
3.3.2 功能测试 54
3.3.3 典型测试系统 55
3.4 效应规律 70
3.4.1 微米至超深亚微米集成电路瞬时电离辐效应 70
3.4.2 纳米集成电路瞬时电离辐效应 74
3.5 小结 79
参考文献 80
第4章 瞬时电离辐脉冲宽度效应 82
4.1 引言 82
4.2 双极电路的脉冲宽度效应 82
4.2.1 PN结辐感生光电流的脉冲宽度效应 82
4.2.2 晶体管的脉冲宽度效应 85
4.. 双极集成电路的脉冲宽度效应 87
4.3 CMOS电路的脉冲宽度效应 88
4.3.1 CMOS反相器的脉冲宽度效应 88
4.3.2 CMOS随机静态存储器的脉冲宽度效应 90
4.4 CMOS电路脉冲宽度效应数值模拟计算 91
4.4.1 电流注入法模拟CMOS电路的脉冲宽度效应 92
4.4.2 辐照法模拟CMOS反相器的脉冲宽度效应 94
4.4.3 模拟计算结果与试验测量结果的比较 94
4.5 脉冲宽度效应的分析方法 96
4.5.1 基于光电流的瞬时电离辐损伤阈值分析方法 96
4.5.2 不同损伤模式下半导体器件的辐损伤阈值 97
4.5.3 三种损伤模式下的脉冲宽度效应 102
4.6 小结 104
参考文献 104
第5章 瞬时电离辐效应数值 106
5.1 引言 106
5.2 瞬时电离辐效应器件级方法 106
5.2.1 瞬时电离辐效应器件级软件 106
5.2.2 数值计算模型与物理模型 107
5.. 脉冲r线辐照模型 109
5.3 瞬时电离辐效应器件级实例 111
5.3.1 初始光电流与次级光电流的 111
5.3.2 不同脉冲宽度下PN结感生光电流数值模拟 113
5.3.3 CMOS反相器剂量率扰动及剂量率闩锁的 114
5.4 瞬时电离辐效应电路级方法 116
5.4.1 基于Cadence版图提取电路网表 117
5.4.2 瞬时剂量率效应模型构建 118
5.4.3 结合版图布局评价瞬时剂量率效应流程 119
5.5 小结 122
参考文献 1
第6章 瞬时辐阻锁效应 124
6.1 引言 124
6.2 闩锁形成机制及判据条件 124
6.2.1 闩锁形成机制 124
6.2.2 闩锁形成判据条件 125
6.3 阻锁效应 132
6.3.1 阻锁效应机制 132
6.3.2 阻锁条件 136
6.3.3 电注入法验及阻锁应用 140
6.3.4 断电窗口的获得 145
6.4 小结 149
参考文献 149
第7章 瞬时电离辐效应试验技术 151
7.1 引言 151
7.2 瞬时电离辐效应试验模拟源 151
7.2.1 我国模拟源介绍 152
7.2.2 美国模拟源介绍 153
7.3 脉冲X 线辐场测量技术 155
7.3.1 时间谱测量技术 155
7.3.2 总剂量测量技术 160
7.3.3 剂量率测量不确定度分析 162
7.4 瞬时电离辐效应测量系统 166
7.4.1 屏蔽及抗干扰系统 166
7.4.2 信号传输系统 167
7.4.3 同步触发系统 168
7.4.4 信号记录系统 168
7.5 瞬时电离辐效应测量方法 168
7.5.1 稳态初始光电流测量方法 168
7.5.2 剂量率闩锁测量方法 170
7.5.3 数字微电路的剂量率翻转测量方法 171
7.6 瞬时电离辐效应脉冲激光辐照试验技术 172
7.6.1 辐源的选取 172
7.6.2 激光辐照系统 174
7.6.3 激光辐照模拟瞬时电离辐效应的特点 175
7.6.4 激光辐照系统的应用 175
7.7 瞬时电离辐效应试验标准及规范 178
7.8 小结 181
参考文献 182
第8章 器件抗瞬时电离辐能评估方法 184
8.1 引言 184
8.2 生存分析相关基础知识 184
8.2.1 基本概念 185
8.2.2 数据类型 186
8.. 常用分布 186
8.3 样本空间排序法 189
8.3.1 瞬时电离辐效应数据特征 189
瞬时电离辐效应是系统*常见的一种辐效应。瞬时电离辐与半导体材料相互作用,感生光电流,改变器件及电路的特和功能,影响系统的可靠。《瞬时电离辐效应》主要介绍核辐环境及其效应、模拟集成电路和大规模数字集成电路的瞬时电离辐效应、瞬时电离辐下的脉冲宽度效应、器件级及电路级方法、瞬时辐感生闩锁和阻锁、瞬时电离辐效应试验技术、样本空间排序法在器件抗瞬时电离辐能评估中的应用等内容。
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