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全新晶硅电池及无损检测技术王月9787502492229
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1 绪论1.1 太阳能发展历程1.1.1 早期的太阳能利用1.1.2 工业化太阳能的利用1.1.3 中国近代太阳能利用的兴起1.1.4 世界范围内开发利用太阳能热潮1.1.5 开发利用太阳能已成为主流趋势1.1.6 太阳能电池发展进程1.2 太阳能发电的优势与不足1.2.1 太阳能发电的优点1.2.2 太阳能发电的缺点1.3 太阳能发电现状与发展前景1.3.1 太阳能电池的生产与应用1.3.2 光伏产业飞展1.4 中国太阳能发电现状与发展前景1.4.1 中国太阳能资源丰富1.4.2 中国太阳能光伏产业发展1.4.3 中国太阳能光伏产业发展强劲1.5 太阳能电池的新技术与新动态参考文献2 晶硅太阳能电池原理及分类2.1 金属与半导体导电机理2.1.1 自由2.1.2 金属电导率2.2 晶硅电池的原理2.2.1 半导体导电机理2.2.2 半导体二极管的物理特2.. 半导体的能带结构. p型和n型半导体..1 p型半导体..2 n型半导体2.4 pn结2.4.1 扩散运动与漂移运动2.4.2 pn结的导通和截止2.4.3 光电导2.4.4 pn结的光生伏应2.5 硅电池分类2.5.1 单晶硅太阳能电池2.5.2 多晶硅太阳能电池2.5.3 薄膜硅太阳能电池2.6 高效硅太阳能电池技术2.6.1 IBC电池2.6.2 PERC电池2.6.3 HIT电池参考文献3 硅电池制备工艺及检测技术3.1 硅材料的制备3.1.1 西门子法3.1.2 硅烷热解法3.1.3 四氯化硅法3.2 多晶硅的制备3.3 单晶硅的制备3.3.1 直拉法3.3.2 区熔法3.4 片状硅(带硅)制备3.5 晶体硅太阳能电池制造3.5.1 晶硅电池生产工艺流程3.5.2 非晶硅薄膜太阳能电池的制备3.6 太阳能电池相关参数3.6.1 标准测试条件3.6.2 太阳能电池的等效电路3.6.3 太阳能电池的主要技术参数3.7 太阳能电池组件的封装3.8 太阳能电池缺陷3.8.1 硅太阳能电池漏电流产生的原因及影响3.8.2 硅太阳能电池缺陷的检测方法参考文献4 高效晶硅电池的制备4.1 表面微结构对黑硅电池光电能的影响4.1.1 溶液配比对制绒速度与效率的影响4.1.2 制绒时长对效率的影响4.1.3 黑硅表面纳米结构的产生原理4.1.4 实验过程4.1.5 内量子效率的测量4.2 探索原子气相沉积法沉积AlO对电池能的影响4.2.1 原子层沉积4.2.2 工业化原子层沉积技术4.. 探索ALD沉积温度对沉积层的影响4.2.4 实验过程及结果分析4.2.5 探索退火温度对沉积层质量的影响4.2.6 探索沉积温度对沉积层质量的影响4.3 在 PERC电池结构中比较AlO和AlO/SiOx叠层能4.3.1 实验准备4.3.2 结果分析参考文献5 无损检测技术5.1 红外检测技术5.1.1 热辐理论5.1.2 脉冲红外热成像检测技术5.1.3 超声红外热成像检测技术5.1.4 锁相红外热成像技术5.2 声发检测技术5.2.1 声发检测的基本原理5.2.2 声发信号处理5.. 声发噪声5.2.4 声发检测技术应用发展5.3 激光全息检测技术5.3.1 激光全息检测技术概述5.3.2 激光全息无损检测的方法5.3.3 激光全息检测应用参考文献6 锁相无损检测技术在硅电池中的应用6.1 锁相红外热成像检测系统及参数设置6.1.1 实验装置图6.1.2 红外热像仪的工作原理6.1.3 参数设置6.2 硅太阳能电池基本参数的检测6.2.1 检测过程6.2.2 检测结果6.3 硅太阳能电池失效检测6.3.1 Corescan检测原理6.3.2 扫描参数的设定6.3.3 串并联电阻与漏电流的关系6.4 锁相红外热成像技术对单晶硅电池的检测6.4.1 锁相红外热成像技术对单晶硅电池A的检测6.4.2 锁相红外热成像技术对单晶硅电池B的检测6.4.3 用Corescan技术检测单晶硅太阳能电池6.4.4 单晶硅太阳能电池的温度-时间图像分析6.4.5 单晶硅太阳能电池缺陷的计算6.5 锁相红外热成像技术对多晶硅电池的检测6.5.1 锁相红外热成像技术对多晶硅电池A的检测6.5.2 锁相红外热成像技术对多晶硅电池B的检测6.5.3 用Corescan方法检测多晶硅太阳能电池6.5.4 多晶硅太阳能电池的温度-时间图像分析6.5.5 多晶硅太阳能电池缺陷的计算6.6 锁相红外热成像法对薄膜硅太阳能电池的检测6.6.1 暗电流锁相红外热成像技术对薄膜硅电池的检测6.6.2 LED光锁相红外热成像技术对薄膜硅电池的检测6.6.3 Infrared光锁相红外热成像技术对薄膜硅电池的检测……
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