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  • 全新第三代半导体/产业分析报告(第67册)学术委员会9787513063302
  • 正版
    • 作者: 国家知识产权局学术委员会著 | 国家知识产权局学术委员会编 | 国家知识产权局学术委员会译 | 国家知识产权局学术委员会绘
    • 出版社: 知识产权出版社
    • 出版时间:2019-07-01
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    • 作者: 国家知识产权局学术委员会著| 国家知识产权局学术委员会编| 国家知识产权局学术委员会译| 国家知识产权局学术委员会绘
    • 出版社:知识产权出版社
    • 出版时间:2019-07-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:230
    • 页数:168
    • 开本:16开
    • ISBN:9787513063302
    • 版权提供:知识产权出版社
    • 作者:学术委员会
    • 著:学术委员会
    • 装帧:暂无
    • 印次:1
    • 定价:60.00
    • ISBN:9787513063302
    • 出版社:知识产权出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2019-07-01
    • 页数:168
    • 外部编号:1201936283
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    章 绪 论
    1.1 技术背景
    1.2 主要内容
    1.2.1 技术现状
    1.2.2 市场现状
    1.. 政策现状
    1.3 主要研究内容
    1.3.1 技术分解
    1.3.2 数据来源及检索策略
    1.3.3 查全查准验
    1.4 相关约定
    1.4.1 分析术语
    1.4.2 技术术语
    第2章 第三代半导体产业全球态势
    2.1 申请趋势
    2.1.1 碳化硅申请趋势
    2.1.2 氮化镓申请趋势
    2.1.3 材料申请趋势
    2.2 全球区域分布
    2.2.1 /地区分布
    2.2.2 流向分析
    2.. 在华分布情况
    . 主要申请人排名
    ..1 全球申请人排名
    ..2 在华申请人排名
    2.4 技术构成
    2.4.1 全球技术构成
    2.4.2 主要/地区技术构成对比
    第3章 碳化硅关键技术分析
    3.1 碳化硅制备技术分析
    3.1.1 申请趋势
    3.1.2 主要/地区布局对比
    3.1.3 主要申请人分析
    3.1.4 单晶生长技术发展路线
    3.1.5 外延生长技术发展路线
    3.1.6 技术生命周期分析
    3.2 碳化硅器件技术分析
    3.2.1 申请趋势
    3.2.2 主要/地区布局对比
    3.. 主要申请人分析
    3.2.4 碳化硅IGBT技术发展路线
    3.2.5 技术生命周期分析
    3.3 碳化硅应用技术分析
    3.3.1 申请趋势
    3.3.2 主要布局对比
    3.3.3 主要申请人分析
    3.3.4 技术生命周期分析
    第4章 氮化镓关键技术分析
    4.1 氮化镓制备技术分析
    4.1.1 申请趋势
    4.1.2 主要/地区布局对比
    4.1.3 主要申请人分析
    4.1.4 氮化镓技术发展路线
    4.1.5 技术生命周期分析
    4.2 氮化镓器件和应用技术分析
    4.2.1 申请趋势
    4.2.2 主要/地区布局对比
    4.. 主要申请人分析
    4.2.4 MicroLED技术发展路线
    4.2.5 技术生命周期分析
    第5章 英飞凌布局及运用策略分析
    5.1 发展历程
    5.2 布局
    5.2.1 申请趋势
    5.2.2 区域布局
    5.. 主题布局
    5.3 主要研发团队
    5.3.1 研发团队总览
    5.3.2 研发合作分析
    5.4 运用
    5.4.1 运用图谱
    5.4.2 运用策略
    第6章 科锐布局及运用策略研究
    6.1 发展历程
    6.2 布局
    6.2.1 申请趋势
    6.2.2 区域布局
    6.. 主题布局
    6.3 主要研发团队
    6.3.1 研发团队总览
    6.3.2 研发合作分析
    6.4 运用
    6.4.1 运用图谱
    6.4.2 运用策略
    第7章 第三代半导体领域主要发明人分析
    7.1 发明人全景分析
    7.1.1 全球主要发明人
    7.1.2 技术分支主要发明人
    7.2 国外主要发明人
    7.2.1 国外发明人
    7.2.2 技术分支主要发明人
    第8章 第三代半导体领域转让策略研究
    8.1 转让态势分析
    8.1.1 转让趋势
    8.1.2 转让主要区域
    8.1.3 转让人排名
    8.1.4 受让人
    8.1.5 转让技术排名
    8.2 英飞凌转让案例分析
    第9章 第三代半导体领域许可策略研究
    9.1 许可分析
    9.1.1 许可趋势
    9.1.2 许可人排名
    9.1.3 被许可人
    9.1.4 许可技术排名
    9.2 科锐许可案例分析
    0章 第三代半导体领域诉讼策略研究
    10.1 诉讼态势分析
    10.1.1 诉讼主要/地区
    10.1.2 诉讼人排名
    10.1.3 诉讼技术排名
    10.2 诉讼案例分析
    10.2.1 科锐vs.旭明光电
    10.2.2 威科vs.中微半导体
    10.3 诉讼策略小结
    1章 美国资项目知识产权产出机制研究
    11.1 项目简介
    11.2 美国资项目产出机制
    11.3 美国资典型案例分析
    2章 主要结论和建议
    12.1 主要结论
    12.2 主要建议
    附录 美国资项目碳化硅领域主要
    图索引
    表索引

    学术委员会为内设的审查业务学术研究机构,本年度10种分析报告的承办方为优选的各地代理事务所、律师事务所以及相关行业协会。每种报告的课题组约由20人组成,分别进行数据收集、整理、分析、制图、审核、统稿。

    特定产业的靠前外知名企业的数据分析及行业分析预测。本书是了解相关行业技术发展现状并预测为了走向,企业做好预警的工具书。

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