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全新半导体制造工艺 第2版张渊编9787111507574
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前言章 绪论1.1 引言1.2 基本半导体元器件结构1.2.1 无源元件结构1.2.2 有源器件结构1.3 半导体器件工艺的发展历史1.4 集成电路制造阶段1.4.1 集成电路制造的阶段划分1.4.2 集成电路时代划分1.4.3 集成电路制造的发展趋势1.5 半导体制造企业1.6 基本的半导体材料1.6.1 硅——常见的半导体材料1.6.2 半导体级硅1.6.3 单晶硅生长1.6.4 IC制造对衬底材料的要求1.6.5 晶体缺陷1.6.6 半导体材料1.7 半导体制造中使用的化学品1.8 半导体制造的生产环境1.8.1 净化间沾污类型1.8.2 污染源与控制1.8.3 典型的纯水制备方法本章小结本章习题第2章 半导体制造工艺概况2.1 引言2.2 器件的隔离2.2.1 PN结隔离2.2.2 缘体隔离. 双极型集成电路制造工艺2.4 CMOS器件制造工艺2.4.1 20世纪80年代的CMOS工艺技术2.4.2 20世纪90年代的CMOS工艺技术2.4.3 21世纪初的CMOS工艺技术本章小结本章习题第3章 清洗工艺3.1 引言3.2 污染物杂质的分类3.2.1 颗粒3.2.2 有机残余物3.. 金属污染物3.2.4 需要去除的氧化层3.3 清洗方法3.3.1 RCA清洗3.3.2 稀释RCA清洗3.3.3 IMEC清洗3.3.4 单晶圆清洗3.3.5 干法清洗3.4 常用清洗设备——超声波清洗设备3.4.1 超声波清洗原理3.4.2 超声波清洗机3.4.3 超声波清洗机的工艺流程3.4.4 超声波清洗机的操作流程3.4.5 清洗设备3.5 清洗的质量控制本章小结本章习题第4章 氧化第5章 化学气相淀积第6章 金属化第7章 光刻第8章 刻蚀第9章 掺杂第10章 平坦化1章 工艺模拟参考文献
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