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全新宽禁带半导体紫外光电探测器陆海9787560661483
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章 半导体紫外光电探测器概述1.1 引言1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势1.3 紫外光电探测器产业发展现状1.4 本书的章节安排参考文献第2章 紫外光电探测器的基础知识2.1 半导体光电效应的基本原理2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器2.2.2 肖特基势垒探测器2.. 光电导探测器2.2.4 雪崩光电二极管. 紫外光电探测器的主要能指标..1 光电探测器的能参数..2 雪崩光电二极管的能参数参考文献第3章 氮化物半导体紫外光电探测器3.1 引言3.2 氮化物半导体材料的基本特3.2.1 晶体结构3.2.2 能带结构3.. 极化效应3.3 高Al组分AIGaN材料的制备与P型掺杂3.3.1 高Al组分AIGaN材料的制备3.3.2 高Al组分AIGaN材料的P型掺杂3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像3.4.1 GaN基半导体的金属接触3.4.2 GaN基光电探测器3.4.3 焦平面阵列成像3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备3.5.1 P-I-N结GaN基APD3.5.2 SAM结构GaN基APD3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用3.6 InGaN光电探测器的制备及应用3.6.1 材料外延3.6.2 器件制备3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器参考文献……第4章 SiC紫外光电探测器第5章 氧化镓基紫外光电探测器第6章 ZnO基紫外光电探测器第7章 金刚石紫外光电探测器第8章 真空紫外光电探测器
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