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  • 全新宽禁带半导体紫外光电探测器陆海9787560661483
  • 正版
    • 作者: 陆海著 | 陆海编 | 陆海译 | 陆海绘
    • 出版社: 西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2021-12-01
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    • 作者: 陆海著| 陆海编| 陆海译| 陆海绘
    • 出版社:西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2021-12-01
    • 版次:1
    • 印次:2
    • 字数:399000
    • 页数:372
    • 开本:16开
    • ISBN:9787560661483
    • 版权提供:西安电子科技大学出版社
    • 作者:陆海
    • 著:陆海
    • 装帧:精装
    • 印次:2
    • 定价:128.00
    • ISBN:9787560661483
    • 出版社:西安科技大学出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2021-12-01
    • 页数:372
    • 外部编号:1202972666
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无

    章 半导体紫外光电探测器概述

    1.1 引言

    1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势

    1.3 紫外光电探测器产业发展现状

    1.4 本书的章节安排

    参考文献

    第2章 紫外光电探测器的基础知识

    2.1 半导体光电效应的基本原理

    2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理

    2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器

    2.2.2 肖特基势垒探测器

    2.. 光电导探测器

    2.2.4 雪崩光电二极管

    . 紫外光电探测器的主要能指标

    ..1 光电探测器的能参数

    ..2 雪崩光电二极管的能参数

    参考文献

    第3章 氮化物半导体紫外光电探测器

    3.1 引言

    3.2 氮化物半导体材料的基本特

    3.2.1 晶体结构

    3.2.2 能带结构

    3.. 极化效应

    3.3 高Al组分AIGaN材料的制备与P型掺杂

    3.3.1 高Al组分AIGaN材料的制备

    3.3.2 高Al组分AIGaN材料的P型掺杂

    3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像

    3.4.1 GaN基半导体的金属接触

    3.4.2 GaN基光电探测器

    3.4.3 焦平面阵列成像

    3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备

    3.5.1 P-I-N结GaN基APD

    3.5.2 SAM结构GaN基APD

    3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用

    3.6 InGaN光电探测器的制备及应用

    3.6.1 材料外延

    3.6.2 器件制备

    3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器

    参考文献

    ……

    第4章 SiC紫外光电探测器

    第5章 氧化镓基紫外光电探测器

    第6章 ZnO基紫外光电探测器

    第7章 金刚石紫外光电探测器

    第8章 真空紫外光电探测器

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