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  • 模拟集成电路设计——基于华大九天集成电路全流程设计平台Aether 聂凯明,徐江涛,余涵 编 专业科技 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 聂凯明著
    • 出版社: 电子工业出版社
    • 出版时间:2024-09-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: 聂凯明著
    • 出版社:电子工业出版社
    • 出版时间:2024-09-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 印刷时间:2024-09-01
    • 页数:356
    • 开本:其他
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787121487484
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:电子工业出版社

    模拟集成电路设计——基于华大九天集成电路全流程设计平台Aether

    作  者:聂凯明,徐江涛,余涵 编
    定  价:89
    出 版 社:电子工业出版社
    出版日期:2024年09月01日
    页  数:356
    装  帧:平装
    ISBN:9787121487484
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    内容简介

    本书主要介绍模拟集成电路的分析和设计,每章均配有基于华大九天Empyrean Aether的仿真实例,注重理论基础和实践的结合。全书共13章,前6章从半导体物理和器件物理的基础开始,逐步讲解并分析模拟集成电路中的各种基本模块;第7章介绍带隙基准电路;第8~10章主要讨论模拟电路的噪声、反馈和稳定性、运算放大器等内容;第11~13章针对常用的复杂模拟集成电路展开讨论,主要包括开关电容放大器、模数转换器与数模转换器、锁相环等。本书可供集成电路领域相关专业的高年级本科生和研究生,以及研究人员和工程技术人员参考。

    作者简介

    精彩内容

    目录
    第1章绪论
    1.1模拟集成电路的应用
    1.2模拟集成电路设计流程
    1.3华大九天Empyrean Aether简介
    第2章MOS器件的基础特性
    2.1半导体物理基础
    2.1.1单晶硅的晶体结构
    2.1.2半导体能带理论及载流子浓度
    2.1.3施主与受主杂质
    2.1.4载流子的漂移运动和扩散运动
    2.2PN结
    2.3MIS结构
    2.4MOSFET结构及其基本制造工艺流程
    2.4.1MOSFET结构
    2.4.2基本制造工艺流程
    2.5MOSFET的电学特性
    2.5.1阈值电压
    2.5.2I-V特性分析
    2.5.3MOS器件电容
    2.5.4小信号模型
    2.6MOSFET的I-V特性仿真分析
    习题
    参考文献
    第3章基本放大器
    3.1共源放大器
    3.1.1采用电阻负载的共源放大器
    ……

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