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  • 氮化镓微波功率器件 马晓华,郑雪峰,张进成 编 专业科技 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 马晓华著
    • 出版社: 西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2023-10-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: 马晓华著
    • 出版社:西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2023-10-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 开本:其他
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787560668451
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:西安电子科技大学出版社

    氮化镓微波功率器件

    作  者:马晓华,郑雪峰,张进成 编
    定  价:108
    出 版 社:西安电子科技大学出版社
    出版日期:2023年09月01日
    页  数:264
    装  帧:平装
    ISBN:9787560668451
    主编推荐

    内容简介

    氮化镓微波功率器件出现至今,无论是其关键技术还是工程应用均取得了快速发展,目前已在新一代移动通信、新型雷达等领域获得了广泛应用。为了推动氮化镓知识的普及,促进读者对氮化镓技术的了解,作者结合研究团队多年的研究及技术实践编撰了此书。本书共6章,包括绪论、氮化物材料MOCVD生长技术、氮化镓微波功率器件技术、微波功率器件新型工艺、微波功率器件建模、新型氮化镓微波功率器件。
    本书可作为微电子器件领域学生的专业教材,也可作为相关领域研究生及从业人员的参考资料。

    作者简介

    精彩内容

    目录
    第1章 绪论
    1.1背景
    1.2氮化镓材料研究进展
    1.3氮化镓微波功率器件研究进展
    1.4氮化镓微波功率器件可靠性进展
    参考文献
    第2章 化物材料MOCVD生长技术
    2.1GaN材料基本特性及MOCVD生长技术
    2.1.1GaN材料的基本特性
    2.1.2MOCVD方法生长GaN简介
    2.2磁控溅射AlN基板生长GaN薄膜技术
    2.2.1磁控溅射AlN特性简介
    2.2.2磁控溅射AlN基板上GaN材料生长及表征
    2.2.3磁控溅射AlN基板位错抑制机理分析
    2.3微纳球掩膜部分接触式横向外延过生长技术
    2.3.1部分接触式横向外延过生长简介
    2.3.2微纳球掩膜技术外延薄膜材料表征
    2.3.3微纳球掩膜技术外延机理分析
    ……

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