等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用 第2版 张海洋 等 编 专业科技 文轩网

第1章低温等离子体蚀刻技术发展史
1.1绚丽多彩的等离子体世界
1.2低温等离子体的应用领域
1.3低温等离子体蚀刻技术混沌之初
1.4低温等离子体蚀刻技术世纪初的三国演义
1.5三维逻辑和存储器时代低温等离子体蚀刻技术的变迁
1.6华人在低温等离子体蚀刻机台发展中的很好贡献
1.7未来低温等离子体蚀刻技术展望
参考文献
第2章低温等离子体蚀刻简介
2.1等离子体的基本概念
2.2低温等离子体蚀刻基本概念
2.3等离子体蚀刻机台简介
2.3.1电容耦合等离子体机台
2.3.2电感耦合等离子体机台
2.3.3电子回旋共振等离子体机台
2.3.4远距等离子体蚀刻机台
2.3.5等离子体边缘蚀刻机台
2.4等离子体优选蚀刻技术简介
2.4.1等离子体脉冲蚀刻技术
2.4.2原子层蚀刻技术
2.4.3中性粒子束蚀刻技术
2.4.4带状束方向性蚀刻技术
2.4.5气体团簇离子束蚀刻技术
参考文献
第3章等离子体蚀刻在逻辑集成电路制造中的应用
3.1逻辑集成电路的发展
3.2浅沟槽隔离蚀刻
3.2.1浅沟槽隔离的背景和概况
3.2.2浅沟槽隔离蚀刻的发展
3.2.3膜层结构对浅沟槽隔离蚀刻的影响
3.2.4浅沟槽隔离蚀刻参数影响
3.2.5浅沟槽隔离蚀刻的重要物理参数及对器件性能的影响
3.2.6鳍式场效应晶体管中鳍(Fin)的自对准双图形的蚀刻
3.2.7鳍式场效应晶体管中的物理性能对器件的影响
3.2.8浅沟槽隔离蚀刻中的负载调节
3.3多晶硅栅极的蚀刻
3.3.1逻辑集成电路中的栅及其材料的演变
3.3.2多晶硅栅极蚀刻
3.3.3台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响
3.3.4多晶硅栅极的线宽粗糙度
3.3.5多晶硅栅极的双图形蚀刻
3.3.6鳍式场效应晶体管中的多晶硅栅极蚀刻
3.4等离子体蚀刻在锗硅外延生长中的应用
3.4.1西格玛形锗硅沟槽成型控制
3.4.2蚀刻后硅锗沟槽界面对最终西格玛形沟槽形状及硅锗外延生长的影响
3.5伪栅去除
3.5.1高介电常数金属栅极工艺
3.5.2先栅极工艺和后栅极工艺
3.5.3伪栅去除工艺
3.6偏置侧墙和主侧墙的蚀刻
3.6.1偏置侧墙的发展
3.6.2侧墙蚀刻
3.6.3优选侧墙蚀刻技术
3.6.4侧墙蚀刻对器件的影响
3.7应力临近技术
3.7.1应力临近技术在半导体技术中的应用
3.7.2应力临近技术蚀刻
3.8接触孔的等离子体蚀刻
3.8.1接触孔蚀刻工艺的发展历程
3.8.2接触孔掩膜层蚀刻步骤中蚀刻气体对接触孔尺寸及圆整度的影响
3.8.3接触孔主蚀刻步骤中源功率和偏置功率对接触孔侧壁形状的影响
3.8.4接触孔主蚀刻步骤中氧气使用量的影响及优化
3.8.5接触孔蚀刻停止层蚀刻步骤的优化
3.8.6晶圆温度对接触孔蚀刻的影响
3.9后段互连工艺流程及等离子体蚀刻的应用
3.9.1后段互连工艺的发展历程
3.9.2集成电路制造后段互连工艺流程
3.10第一金属连接层的蚀刻
3.10.1第一金属连接层蚀刻工艺的发展历程
3.10.2工艺整合对第一金属连接层蚀刻工艺的要求
3.10.3第一金属连接层蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.11通孔的蚀刻
3.11.1工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求
3.11.2通孔蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.12金属硬掩膜层的蚀刻
3.12.1金属硬掩膜层蚀刻参数对负载效应的影响
3.12.2金属硬掩膜层材料应力对负载效应的影响
3.12.3金属硬掩膜层蚀刻侧壁轮廓对负载效应的影响
3.13介电材料沟槽的蚀刻
3.13.1工艺整合对介电材料沟槽蚀刻工艺的要求
3.13.2先通孔工艺流程沟槽蚀刻工艺参数对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.13.3金属硬掩膜先沟槽工艺流程沟槽蚀刻工艺对关键尺寸、轮廓图形及电性能的影响
3.14钝化层介电材料的蚀刻
3.15铝垫的金属蚀刻
参考文献
第4章等离子体蚀刻在存储器集成电路制造中的应用
4.1闪存的基本介绍
4.1.1基本概念
4.1.2发展历史
4.1.3工作原理
4.1.4性能
4.1.5主要厂商
4.2等离子体蚀刻在标准浮栅闪存中的应用
4.2.1标准浮栅闪存的浅槽隔离蚀刻工艺
4.2.2标准浮栅闪存的浅槽隔离氧化层回刻工艺
4.2.3标准浮栅闪存的浮栅蚀刻工艺
4.2.4标准浮栅闪存的控制栅极蚀刻工艺
4.2.5标准浮栅闪存的侧墙蚀刻工艺
4.2.6标准浮栅闪存的接触孔蚀刻工艺
4.2.7特殊结构闪存的蚀刻工艺
4.2.8标准浮栅闪存的SADP蚀刻工艺
4.33D NAND关键工艺介绍
4.3.1为何开发3D NAND闪存
4.3.23D NAND的成本优势
4.3.33D NAND中的蚀刻工艺
4.4新型存储器与系统集成芯片
4.4.1SoC芯片市场主要厂商
4.4.2SoC芯片中嵌入式存储器的要求与器件种类
4.5新型相变存储器的介绍及等离子体蚀刻的应用
4.5.1相变存储器的下电极接触孔蚀刻工艺
4.5.2相变存储器的GST蚀刻工艺
4.6新型磁性存储器的介绍及等离子体蚀刻的应用
4.7新型阻变存储器的介绍及等离子体蚀刻的应用
4.8新型存储器存储单元为何多嵌入在后段互连结构中
4.8.1新型存储器存储单元在后段互连结构中的嵌入形式
4.8.2存储单元连接工艺与标准逻辑工艺的异同及影响
参考文献
第5章等离子体蚀刻工艺中的经典缺陷介绍
5.1缺陷的基本介绍
5.2等离子体蚀刻工艺相关的经典缺陷及解决方法
5.2.1蚀刻机台引起的缺陷
5.2.2工艺间的互相影响
5.2.3蚀刻工艺不完善所导致的缺陷
参考文献
第6章特殊气体及低温工艺在等离子体蚀刻中的应用
6.1特殊气体在等离子体蚀刻中的应用
6.1.1气体材料在半导体工业中的应用及分类
6.1.2气体材料在等离子体蚀刻中的应用及解离原理
6.1.3特殊气体等离子体蚀刻及其应用
6.2超低温工艺在等离子体蚀刻中的应用
6.2.1超低温等离子体蚀刻技术简介
6.2.2超低温等离子体蚀刻技术原理分析
6.2.3超低温等离子体蚀刻技术应用
参考文献
第7章等离子体蚀刻对逻辑集成电路良率及可靠性的影响
7.1等离子体蚀刻对逻辑集成电路良率的影响
7.1.1逻辑集成电路良率简介
7.1.2逻辑前段蚀刻工艺对逻辑集成电路良率的影响
7.1.3逻辑后段蚀刻工艺对逻辑集成电路良率的影响
7.2等离子体蚀刻对逻辑集成电路可靠性的影响
7.2.1半导体集成电路可靠性简介
7.2.2等离子体蚀刻对HCI的影响
7.2.3等离子体蚀刻对GOI/TDDB的影响
7.2.4等离子体蚀刻对NBTI的影响
7.2.5等离子体蚀刻对PID的影响
7.2.6等离子体蚀刻对EM的影响
7.2.7等离子体蚀刻对SM的影响
7.2.8等离子体蚀刻对低k TDDB的影响
参考文献
第8章等离子体蚀刻在新材料蚀刻中的展望
8.1硅作为半导体材料在集成电路应用中面临的挑战
8.2三五族半导体材料在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法
8.2.1磷化铟的蚀刻
8.2.2铟镓砷的蚀刻
8.2.3镓砷的蚀刻
8.3锗在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法
8.4石墨烯在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法
8.5其他二维材料在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法
8.6定向自组装材料蚀刻
参考文献
第9章优选蚀刻过程控制及其在集成电路制造中的应用
9.1自动控制技术
9.2传统工业优选过程控制技术
9.3优选过程控制技术在集成电路制造中的应用
9.4优选过程控制技术在等离子体蚀刻工艺中的应用
9.4.1等离子体蚀刻建模
9.4.2等离子体蚀刻过程识别
9.4.3等离子体蚀刻过程量测
9.4.4等离子体蚀刻优选控制实例
参考文献
第10章虚拟制造在集成电路发展中的应用
10.1未来集成电路技术的发展趋势
10.1.1鳍式晶体管后时代逻辑电路技术的发展趋势： 三维逻辑器件
10.1.2集成电路研发和制造遇到的挑战
10.2关键工艺流程模拟和虚拟制造技术
10.2.1蚀刻模块的计算机辅助模拟
10.2.2光刻、CMP等模块的计算机辅助模拟
10.2.3虚拟制造中的器件模拟
10.3设计和工艺协同关系的演化
10.3.1可制造性设计
10.3.2设计工艺协同优化
10.3.3系统工艺协同优化
10.4虚拟制造技术的展望
参考文献