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电子器件的电离辐射效应——从存储器到图像传感器 (意)马尔塔·巴吉安,(意)西蒙尼·杰拉尔丁 编 毕津顺 等 译
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https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html
电子器件的电离辐射效应——从存储器到图像传感器
"内容涵盖电子器件辐射效应领域的近期新进展和研究成果; 原著作者身为一线的科研人员,给出大量具体实例,深入浅出地探讨了学术界和工业界关心的电子器件辐射相关问题,并提出相应解决办法。"
本书完整地涵盖了现代半导体的电离辐射效应,深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容:商用数字集成电路的辐射效应,包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAMD和闪存;数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案;纤维光学和成像器件(包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。 本书可给予刚进人本领域的研究人员指导,供电路设计者、系统设计者和可靠性工程师学习,也可以作为资深科学家和工程师的参考书。还可以作为该领域本科生、硕士生、博士生和教师学习或教授电子器件电离辐射效应基础知识的参考书。
毕津顺,博士生导师,贵州师范大学教授,中国科学院微电子研究所特聘研究员,中国科学院大学岗位教授。主要从事半导体器件和集成电路辐射效应、抗辐射加固技术及应用研究。主持国防创新项目、预研项目、自然基金重点项目和面上项目10余项,参与国家重大科技专项、国家自然基金创新研究群体项目、自然科学基金委–中国科学院大科学装置科学研究联合基金项目和中科院国际合作项目等20余项。已出版译著两部,发表各类学术论文180余篇,申请专利共计80余项。
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