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CMOS集成电路闩锁效应 温德通 著 专业科技 文轩网
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https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html
CMOS集成电路闩锁效应
本书主要介绍集成电路工艺制程技术的发展过程,集成电路工艺制造技术从*初的BJT工艺制造技术发展到CMOS工艺制造技术,同时器件也从*初的BJT发展的MOSFET。由于体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP会组成的电路,它在一定的条件下被触发而形成低阻通路,从而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片,通常把该现象称为闩锁效应。闩锁效应存在于体CMOS集成电路中,它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题,随着CMOS工艺技术的不断发展,工艺技术日趋优选,器件的特征尺寸越来越小,并且器件间的间距也越来越小,集成电路的器件密度越来越大,集成电路的闩锁效应变得越来越严重,特别是在IO电路中。
本书通过具体案例和大量彩色图片,对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应(Latch-up)问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上,先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、定性分析、改善措施和设计规则进行了详细讲解,随后给出了工程实例分析和寄生器件的ESD应用,为读者提供了一套理论与工程实践相结合的闩锁效应测试和改善方法。本书面向从事微电子、半导体与集成电路行业的朋友,旨在给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的图书,同时也适合相关专业的本科生和研究生阅读。
温德通,ESD设计工程师,毕业于西安电子科技大学科技大学微电子学院,从事集成电路工艺制程整合,器件、闩锁效应和ESD电路设计方向工作十余年。目前已出版图书《集成电路制造工艺与工程应用》和《CMOS集成电路闩锁效应》。
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