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  • 异质结双极晶体管电路设计(英文版)-Jianjun Gao(高建军)
  • 新商品上架
    • 作者: 高建军著
    • 出版社: 高等教育出版社
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    • 作者: 高建军著
    • 出版社:高等教育出版社
    • 开本:16开
    • ISBN:9780160746111
    • 版权提供:高等教育出版社
    Heterojunction Bipolar Transistors for C
    作者: Jianjun Gao(高建军)
    出版社: 高等教育出版社
    ISBN: 9787040421934 开本: 16开
    出版日期:2015年6月 装帧: 平装
    定价: 69.00 版次: 1
    字数: 350千字 是否套装: 否
    页码: 259 套装数量: 0

    本书是作者在微波和光通信领域多年工作、学习、研究和教学中获得的知识和经验的总结。主要内容包括微波信号网络矩阵技术、噪声网络矩阵技术以及以此为基础的微波射频异质结双极晶体管建模和测试技术,此外还包括微波射频异质结双极晶体管小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型以及等效电路模型的参数提取技术等。

    本书可以作为微波专业、电路与系统专业以及微电子专业高年级本科生和研究生的教学参考用书,也可以供从事集成电路设计的科研人员参考使用。

    前辅文
    1 Introduction
      1.1 Overview of Heterojunction Bipolar Transistors
      1.2 Modeling and Measurement for HBT
      1.3 Organization of This Book
      References
    2 Basic Concept of Microwave Device Modeling
      2.1 Signal Parameters
       2.1.1 Low-Frequency Parameters
       2.1.2 S-Parameters
      2.2 Representation of Noisy Two-Port Network
       2.2.1 Noise Matrix
       2.2.2 Noise Parameters
      2.3 Basic Circuit Elements
       2.3.1 Resistance
       2.3.2 Capacitance
       2.3.3 Inductance
       2.3.4 Controlled Sources
       2.3.5 Ideal Transmission Line
      2.4 π- and T-Type Networks
       2.4.1 T-Type Network
       2.4.2 π-Type Network
       2.4.3 Relationship between π- and T-Type Networks
      2.5 Deembedding Method
       2.5.1 Parallel Deembedding
       2.5.2 Series Deembedding
       2.5.3 Cascading Deembedding
      2.6 Basic Methods of Parameter Extraction
       2.6.1 Determination of Capacitance
       2.6.2 Determination of Inductance
       2.6.3 Determination of Resistance
      2.7 Summary
      References
    3 Modeling and Parameter Extraction Methods of Bipolar Junction Transistor
      3.1 PN Junction
      3.2 PN Junction Diode
       3.2.1 Basic Concept
       3.2.2 Equivalent Circuit Model
       3.2.3 Determination of Model Parameters
      3.3 BJT Physical Operation
       3.3.1 Device Structure
       3.3.2 The Modes of Operation
       3.3.3 Base-Width Modulation
       3.3.4 High Injection and Current Crowding
      3.4 Equivalent Circuit Model
       3.4.1 E-M Model
       3.4.2 G-P Model
       3.4.3 Noise Model
      3.5 Microwave Performance
       3.5.1 Transition Frequency
       3.5.2 Common-Emitter Configuration
       3.5.3 Common-Base Configuration
       3.5.4 Common-Collector Configuration
       3.5.5 Summary and Comparisons
      3.6 Summary
      References
    4 Basic Principle of HBT
      4.1 Semiconductor Heterojunction
      4.2 HBT Device
       4.2.1 GaAs HBT
       4.2.2 lnP HBT
      4.3 Summary
      References
    5 Small-Signal Modeling and Parameter Extraction of HBT
      5.1 Small-Signal Circuit Model
       5.1.1 Pad Structure
       5.1.2 T-Type Circuit Model
       5.1.3 π-Type Circuit Model
       5.1.4 Unilateral Power Gain
       5.1.5 fr and fmax
      5.2 HBT Device Structure
      5.3 Extraction Method of PAD Capacitances
       5.3.1 Open Test Structure Method
       5.3.2 Pinch-Off Method
      5.4 Extraction Method of Extrinsic Inductances
       5.4.1 Short Test Structure Method
       5.4.2 Open-Collector Method
      5.5 Extraction Method of Extrinsic Resistance
       5.5.1 Z Parameter Method
       5.5.2 Cold-HBT Method
       5.5.3 Open-Collector Method
      5.6 Extraction Method of Intrinsic Resistance
       5.6.1 Direct Extraction Method
       5.6.2 Hybrid Method
      5.7 Semianalysis Method
      5.8 Summary
      References
    6 Large-Signal Equivalent Circuit Modeling of HRT
      6.1 Linear and Nonlinear
       6.1.1 Definition
       6.1.2 Nonlinear Lumped Elements
      6.2 Large Signal and Small Signal
      6.3 Thermal Resistance
       6.3.1 Definition
       6.3.2 Equivalent Circuit Model
       6.3.3 Determination of Thermal Resistance
      6.4 Nonlinear HBT Modeling
       6.4.1 VBIC Model
       6.4.2 Agilent Model
       6.4.3 Macromodeling Method
      6.5 Summary
      References
    7 Microwave Noise Modeling and Parameter Extraction Technique for HBTs
      7.1 Noise Equivalent Circuit Model
      7.2 Derivation of Noise Parameters
      7.3 Noise Parameter Extraction Methods
       7.3.1 Tuner-Based Extraction Method
       7.3.2 Noise Parameters Based on Noise Figure Measurement
      7.4 Common Base, Emitter, and Collector Configurations
       7.4.1 Signal Parameter Relationships
       7.4.2 Noise Parameter Relationships
      7.5 Summary
      References
    8 SiGe HBT Modeling and Parameter Extraction
      8.1 Introduction
      8.2 Small-Signal Model
      8.3 Large-Signal Model
       8.3.1 HICUM
       8.3.2 MEXTRAM Equivalent Circuit Model
      8.4 Summary
      References
    Index

    国际上介绍基于异质结双极晶体管模型进行集成电路设计的经典图书

    高建军,华东师范大学教授,博士生导师,“紫江学者”特聘教授 ,中国科学院微电子研究所客座教授,加拿大卡尔顿大学兼职研究教授。2001年至2004年,先后在新加坡南洋理工大学、德国柏林工业大学和加拿大卡尔顿大学做研究工作。现为中国电子学会高级会员,国际电子电气工程师协会高级会员,2005年入选教育部“新世纪人才支持计划”。任多个国际电子领域学术刊物的编委和审稿人,在国内外出版中英文学术专著6部。

    * 器件建模和电路设计之间架起的一座桥梁,便于读者深层次理解集成电路设计理念。

    * 目前国际上介绍基于异质结双极晶体管模型进行集成电路设计的图书仅有两本:一本由在美国工作的台湾人完成,另一本就是本书。

    * 作者近年来在晶体管电路设计方面开展了一系列重要的创新性工作,在国际上有重要的影响。

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