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  • [正版]集成电路高可靠封装技术 半导体与集成电路关键技术丛书 芯片集成电路封装制造高可靠性划片粘片引线键合密封教程书籍机
  • 高质量芯片封装技术的实践与阶段性总结
    • 作者: 无著
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2022-04
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    • 作者: 无著
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2022-04
    • ISBN:9782065742435
    • 版权提供:机械工业出版社

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    ◆图书简介◆
    本书应用理论和实际经验并重,共分为五章。第1章概括介绍了集成电路高可靠封装体系框架;之后四章详细讲解了划片、粘片、引线键合和密封四大工序,每章都介绍相应工序的基本概念,并将该工序的重点内容、行业内关注的热点、常见的失效问题及产生机理,按照小节逐一展开。本书内容齐全,凝聚了多年的科研成果,更吸收了国内外相关科研工作者的智慧结晶,是目前关于集成电路高可靠封装技术前沿、详尽、实用的图书。
    本书可作为电子封装工艺、技术和工程领域科研人员、高校师生及企业等相关单位科技工作者的重要参考书。


    ◆目录:◆





    前言
    第1章 概述 1
    1.1 关键术语及含义 1
    1.1.1 可靠性 1
    1.1.2 高可靠 2
    1.1.3 陶瓷封装 2
    1.1.4 洁净室 2
    1.1.5 质量等级 3
    1.1.6 辐照加固保证(RHA) 3
    1.1.7 二次筛选 3
    1.1.8 失效分析(FA) 3
    1.1.9 破坏性物理分析(DPA) 5
    1.1.10 质量体系 6
    1.1.11 统计过程控制(SPC) 6
    1.2 电子封装技术的发展 6
    1.2.1 摩尔定律 6
    1.2.2 集成电路和混合电路 8
    1.2.3 高可靠封装类型 8
    1.2.4 金属封装类型 10
    1.2.5 封装外形图及标注 11
    1.3 封装工艺及检验 12
    1.3.1 高可靠封装 12
    1.3.2 检验 12
    1.3.3 执行标准 13
    1.3.4 美国标准 14
    参考文献 15
    第2章 划片 16
    2.1 划片工艺概述 16
    2.1.1 划片工艺介绍 16
    2.1.2 划片方式 17
    2.1.3 划片工艺步骤 19
    2.1.4 机遇与挑战 22
    2.2 划片刀及原理 23
    2.2.1 划片刀组成 23
    2.2.2 划片刀结构特点 23
    2.2.3 划片刀切割机理 25
    2.2.4 刀刃与线宽 26
    2.2.5 刀片磨损 26
    2.3 崩边、分层及影响因素 28
    2.3.1 正面崩边 28
    2.3.2 背面崩边 30
    2.3.3 划片刀选型 32
    2.3.4 砂轮转速 32
    2.3.5 蓝膜粘接强度 32
    2.3.6 晶圆厚度 33
    2.3.7 冷却水添加剂 33
    2.3.8 划片参数 34
    2.4 激光切割 34
    2.4.1 激光切割的优势 34
    2.4.2 紫外激光划片 35
    2.4.3 激光隐形划片 37
    2.4.4 微水刀激光 38
    2.5 划片工艺面对的挑战 38
    2.5.1 超薄晶圆 38
    2.5.2 低k介质晶圆 39
    2.5.3 砷化镓 40
    2.5.4 碳化硅 42
    参考文献 43
    第3章 粘片 45
    3.1 粘片工艺概述 45
    3.1.1 粘片工艺介绍 45
    3.1.2 粘片工艺的选择 46
    3.1.3 粘片质量标准———剪切强度 46
    3.1.4 粘片质量指标———空洞率 47
    3.2 导热胶粘片 47
    3.2.1 粘接原理 47
    3.2.2 导电胶的固化 48
    3.2.3 玻璃化转变温度Tg 48
    3.3 导电胶的特性 49
    3.3.1 导电胶的组成 49
    3.3.2 导电胶的导电原理 49
    3.3.3 各向异性导电胶 49
    3.3.4 导电性与粘接强度 50
    3.3.5 水汽与导电性 51
    3.3.6 固化温度与导电性 51
    3.3.7 银迁移 53
    3.4 粘接可靠性的失效模式与影响分析(FMEA) 53
    3.4.1 FMEA 53
    3.4.2 芯片粘接失效模式统计 54
    3.4.3 芯片粘接FMEA表格的建立 55
    3.5 导热胶的失效 56
    3.5.1 吸湿与氧化腐蚀 56
    3.5.2 裂纹和分层 56
    3.5.3 蠕变 57
    3.5.4 溢出胶量与应力 57
    3.5.5 胶层厚度与应力 58
    3.5.6 不良应力与导热胶粘接失效 59
    3.5.7 保存与使用失效 59
    3.6 芯片的堆叠与应力 60
    3.6.1 多芯片堆叠 60
    3.6.2 多层芯片堆叠应力集中 61
    3.6.3 芯片的裂纹 62
    3.6.4 爬胶与胶膜 62
    3.7 焊接的基本概念 63
    3.7.1 润湿 63
    3.7.2 铺展 64
    3.7.3 填缝 65
    3.7.4 钎焊 65
    3.7.5 软焊料 66
    3.7.6 界面金属间化合物(IMC) 66
    3.7.7 共晶 66
    3.7.8 固溶体 67
    3.7.9 相图 68
    3.8 芯片焊接工艺 68
    3.8.1 芯片焊接 68
    3.8.2 共晶摩擦粘片 68
    3.8.3 烧结粘片 68
    3.8.4 多温度梯度粘片 68
    3.9 典型焊料相图与性质 70
    3.9.1 Sn-Pb合金 70
    3.9.2 Au-Sn合金 71
    3.9.3 Au-Si合金 72
    3.9.4 Au-Ge合金 73
    3.10 真空烧结粘片 73
    3.10.1 真空烧结的含义 73
    3.10.2 烧结温度曲线 74
    3.10.3 焊料熔融时间 75
    3.10.4 烧结过程中的气氛 76
    3.10.5 烧结过程中的还原气体 78
    3.10.6 烧结过程中的焊接压力 79
    3.11 芯片焊接失效模式 81
    3.11.1 失效模式分析 81
    3.11.2 芯片脱落失效原因及采取措施 82
    3.11.3 粘接空洞失效原因及采取措施 82
    3.11.4 内部气氛不合格原因及采取措施 83
    3.12 焊接空洞 83
    3.12.1 焊接空洞的标准 83
    3.12.2 氧化对空洞的影响 84
    3.12.3 助焊剂选型与空洞 84
    3.12.4 焊接工艺与空洞率 84
    3.12.5 真空度与焊接空洞 85
    参考文献 86
    第4章 引线键合 90
    4.1 引线键合概述 90
    4.1.1 引线键合介绍 90
    4.1.2 引线键合机理 90
    4.1.3 分类 90
    4.1.4 键合丝 91
    4.1.5 键合工具 91
    4.1.6 线径与电流 92
    4.2 金丝键合 93
    4.2.1 工艺步骤 93
    4.2.2 关键参数 95
    4.3 铝丝键合 99
    4.3.1 工艺步骤 99
    4.3.2 关键参数 100
    4.3.3 超声键合界面 101
    4.4 引线键合评价方法 102
    4.4.1 键合拉力测试 102
    4.4.2 焊球剪切应力测试 105
    4.4.3 键合目检 105
    4.5 金铝键合 107
    4.5.1 金铝效应概述 107
    4.5.2 Au/Al与Al/Au体系 109
    4.5.3 影响因素 112
    4.5.4 表现形式 113
    4.5.5 应对措施 114
    4.6 焊盘起皮 116
    4.6.1 焊盘起皮现象 116
    4.6.2 超声参数 118
    4.6.3 劈刀 119
    4.6.4 滑移 119
    4.6.5 工艺参数 121
    4.6.6 晶圆制造 122
    4.7 热影响区 124
    4.7.1 概述 124
    4.7.2 属性变化 125
    4.7.3 热影响区长度影响因素 127
    参考文献 131
    第5章 密封 135
    5.1 密封工艺概述 135
    5.1.1 密封工艺介绍 135
    5.1.2 典型密封工艺 135
    5.1.3 内部气氛 136
    5.1.4 热阻 136
    5.1.5 检验标准 137
    5.2 金锡熔封工艺 137
    5.2.1 金锡熔封主要特点 137
    5.2.2 熔封质量影响因素 139
    5.2.3 常见缺陷 140
    5.3 金锡焊料环 140
    5.3.1 微观分析与性能分析 140
    5.3.2 焊料制备技术难点 143
    5.3.3 焊料制备方法 144
    5.4 金锡熔封烧结工艺流程 146
    5.4.1 基本要求及流程 146
    5.4.2 准备工作 146
    5.4.3 装架 147
    5.4.4 熔封 148
    5.5 金锡烧结的密封空洞 148
    5.5.1 密封空洞 148
    5.5.2 密封空洞的影响因素 149
    5.5.3 密封工艺优化方法及实验结果 150
    5.5.4 密封空洞的控制效果 153
    5.6 密封夹具与焊料流淌 153
    5.6.1 密封夹具与压力模型 153
    5.6.2 焊料流场仿真结果(压块) 155
    5.6.3 焊料流场仿真结果(夹子) 156
    5.7 密封空洞与微观观察 158
    5.7.1 空洞观察方法 158
    5.7.2 几种典型空洞 159
    5.8 密封界面化合物 162
    5.8.1 焊缝的形成 162
    5.8.2 焊缝形貌及成分 163
    5.8.3 金-锡-镍界面反应过程 165
    5.8.4 温度对焊接界面的影响 167
    5.8.5 压力对焊接界面的影响 170
    5.8.6 冷却速率对化合物的影响 170
    5.8.7 退火与金-锡-镍化合物 170
    5.9 平行缝焊工艺 171
    5.9.1 平行缝焊工艺特点 171
    5.9.2 工艺原理 172
    5.9.3 工艺过程 174
    5.9.4 工艺参数 175
    5.10 平行缝焊焊接质量影响因素 177
    5.10.1 速度与热量 177
    5.10.2 体积与热量 178
    5.10.3 脉宽与热量 179
    5.10.4 电极角度与焊缝宽度 181
    5.10.5 电极材料与散热 181
    5.10.6 封盖夹具与工艺稳定性 182
    5.10.7 盖板转角与焊接缺陷 182
    5.10.8 焊接能量与PIND 183
    5.10.9 压力与热量 185
    5.10.10 镀层质量要求 185
    5.10.11 盖板质量要求 186
    5.11 平行缝焊抗盐雾性能 186
    5.11.1 腐蚀现象 186
    5.11.2 腐蚀机理 186
    5.11.3 腐蚀现象 187
    5.11.4 优化方向 188
    5.12 AuSn焊料环的平行缝焊 189
    5.12.1 原理及方法 189
    5.12.2 应用场景 189
    5.12.3 检验标准 189
    5.12.4 典型失效 190
    5.12.5 熔焊模型 191
    5.12.6 影响因素 191
    5.12.7 应用限制 192
    5.13 储能焊工艺 192
    5.13.1 储能焊概述 192
    5.13.2 工艺原理 193
    5.13.3 工艺步骤 193
    5.14 储能焊颗粒噪声问题 194
    5.14.1 简介 194
    5.14.2 PIND失效鱼骨图 194
    5.14.3 封焊前可动多余物控制 194
    5.14.4 封焊前可动多余物预检测 195
    5.14.5 封焊时金属颗粒物的产生及飞溅控制 196
    5.14.6 电流趋肤效应引发颗粒物飞溅 199
    5.14.7 外壳设计对PIND控制的作用 200
    5.15 玻璃熔封 201
    5.15.1 概述 201
    5.15.2 玻璃熔封的特点 202
    5.15.3 玻璃熔封机理 202
    5.15.4 黑瓷外壳 202
    5.15.5 黑瓷封装工艺 204
    5.15.6 典型失效模式 206
    5.15.7 国产黑瓷外壳新机遇 207
    5.16 封装热阻 207
    5.16.1 封装的热性能 207
    5.16.2 陶瓷封装的散热路径 208
    5.16.3 结-壳热阻R TH(J-C) 模拟计算 210
    5.16.4 结环境阻RTH(J-A) 模拟计算 214
    5.16.5 封装散热材料 217
    5.16.6 多芯片热阻 217
    5.16.7 芯片面积 217
    5.16.8 焊接空洞 218
    5.17 气密性检测 218
    5.17.1 质谱仪原理 218
    5.17.2 氦质谱检漏 219
    5.17.3 细检漏 219
    5.17.4 管壳吸附氦气 219
    5.17.5 小漏率 220
    5.18 X射线照相检测 220
    5.18.1 X射线在封装中的应用 220
    5.18.2 X射线照相检测原理 221
    5.18.3 密封空洞成像原理 222
    5.19 水汽含量检测 223
    5.19.1 水汽检测 223
    5.19.2 主要有害气氛 223
    5.19.3 内部气氛影响因素 224
    5.19.4 内部气氛控制 225
    5.19.5 内部气氛之间的关联性 225
    5.19.6 水汽的时效变化 225
    5.19.7 排除氢气方法 226
    5.19.8 小腔体器件 226
    参考文献 227
    第6章 高可靠封装的发展与展望 235
    6.1 高可靠封装的发展 235
    6.2 3D封装 237
    6.3 异构集成 237
    6.4 高可靠塑封 238
    6.5 柔性封装 238
    6.6 封装抗辐射加固 239
    参考文献 239

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