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[正版]套装 集成电路丛书 共4册 半导体制造工艺基础精讲 制造设备基础与构造 功率半导体基础与工艺 一本书读懂芯片制
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一本书读懂芯片制程设备
作 者:王超 等 编
定 价:99
出 版 社:机械工业出版社
出版日期:2023年02月01日
页 数:260
装 帧:平装
ISBN:9787111720416
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1.详解300多种细分类别设备,阐述工作原理、发展历程及国内外市场情况,助力攻克设备核心技术,实现设备制造自主可控;2.本书整理了集成电路芯片制程中的各种设备及其国内外发展现状,包括晶圆制备设备、热工艺设备、光刻设备、刻蚀设备、离子注入机、薄膜淀积设备、检测设备、化学机械抛光设备及封装设备,详细介绍了每类设备的工作原理、发展历程以及当前的国内外市场情况,并对每类设备的国内外代表性企业及其代表性产品进行了介绍,本书对集成电路芯片制程设备感兴趣的读者来说,是不错的知识来源。3.本书是清华大学和电子科......
目录
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前 言第1章 集成电路芯片制程简介1 1.1 集成电路芯片概述1 1.1.1 集成电路芯片的发展1 1.1.2 集成电路的未来发展趋势4 1.2 集成电路芯片工艺流程5 1.2.1 集成电路芯片前道制程工艺6 1.2.2 集成电路芯片后道制程工艺9 1.3 全球集成电路芯片制程设备市场总体概述10 1.3.1 国外市场分析11 1.3.2 国内市场分析15 1.3.3 半导体设备行业发展前景展望19 参考文献20第2章 晶圆制备设备23 2.1 单晶生长设备23 2.1.1 单晶生长设备原理24 2.1.2 单晶生长设备发展26 2.1.3 单晶生长设备国内外市场分析26 2.2 晶片切割设备30 2.2.1 晶片切割设备原理31 2.2.2 晶片切割设备发展32 2.2.3 晶片切割设备国内外市场分析32 2.3 晶圆清洗设备37 2.3.1 晶圆清洗设备原理37 2.3.2 晶圆清洗设备发展39 2.3.3 晶圆清洗设备市场分析41 2.4 本章小结46 参考文献47第3章 热工艺设备50 3.1 热氧化相关原理50 3.2 扩散相关原理53 3.3 tui火相关原理55 3.4 热工艺设备结构及原理55 3.4.1 立式炉55 3.4.2 卧式炉58 3.4.3 快速热处理设备61 3.5 国内外市场分析63 3.5.1 热工艺设备市场概述63 3.5.2 国外相关设备概述65 3.5.3 国内相关设备概述66 3.6 本章小结68 参考文献69第4章 光刻及光刻设备71 4.1 光刻原理71 4.2 光刻耗材74 4.2.1 光刻胶74 4.2.2 显影液75 4.2.3 掩模版75 4.3 光刻机分类76 4.4 光刻机原理77 4.5 光刻机演变史79 4.5.1 国外光刻机发展史80 4.5.2 中国光刻机发展史81目录一本书读懂芯片制程设备 4.6 国内外市场分析83 4.6.1 国外相关设备概述84 4.6.2 国内光刻市场概述88 4.7 本章小结89 参考文献90第5章 刻蚀设备94 5.1 原理介绍94 5.1.1 湿法刻蚀原理95 5.1.2 干法刻蚀原理97 5.2 刻蚀设备99 5.2.1 干法刻蚀设备原理99 5.2.2 干法刻蚀设备发展104 5.3 国内外市场分析107 5.3.1 刻蚀设备市场概述108 5.3.2 国外刻蚀设备市场分析109 5.3.3 国内刻蚀设备市场分析114 5.4 本章小结119 参考文献119第6章 离子注入机122 6.1 离子注入相关原理122 6.2 离子注入设备结构125 6.3 国内外市场分析133 6.3.1 离子注入设备市场概述133 6.3.2 国外相关设备概述134 6.3.3 国内相关设备概述136 6.4 本章小结137 参考文献137第7章 薄膜淀积设备140 7.1 原理介绍140 7.1.1 物理气相淀积141 7.1.2 化学气相淀积146 7.2 设备发展155 7.2.1 物理气相淀积设备155 7.2.2 化学气相淀积设备156 7.3 国内外市场分析157 7.3.1 薄膜淀积设备市场概述157 7.3.2 国外主要淀积设备160 7.3.3 国内主要淀积设备169 7.4 本章小结174 参考文献175第8章 集成电路检测设备177 8.1 检测原理178 8.1.1 前道量检测178 8.1.2 后道检测188 8.2 国内外市场分析193 8.2.1 检测设备市场分析193 8.2.2 国外检测设备龙头企业及其设备介绍195 8.2.3 国内检测设备龙头企业及其设备介绍211 8.3 本章小结212 参考文献212第9章 化学机械抛光设备215 9.1 化学机械抛光设备原理215 9.2 化学机械抛光设备发展216 9.3 化学机械抛光设备与耗材市场分析217 9.3.1 CMP设备市场分析217 9.3.2 CMP耗材市场分析221 9.4 本章小结224 参考文献224第10章 集成电路封装设备226 10.1 封装工艺流程226 10.2 封装工艺发展229 10.3 国内外市场分析233 10.3.1 半导体芯片封装设备市场分析233 10.3.2 国外封装设备龙头企业及其设备介绍235 10.3.3 国内封装设备龙头企业及其设备介绍246 10.4 本章小结248 参考文献248后记251 4.6.1 国外相关设备概述81 4.6.2 国内光刻市场概述86 4.7 本章小结87 参考文献88第5章 刻蚀设备92 5.1 原理介绍92 5.1.1 湿法刻蚀原理93 5.1.2 干法刻蚀原理95 5.2 刻蚀设备97 5.2.1 干法刻蚀设备原理97 5.2.2 干法刻蚀设备发展102 5.3 国内外市场分析106 5.3.1 刻蚀设备市场概述106 5.3.2 国外刻蚀设备市场分析107 5.3.3 国内刻蚀设备市场分析112 5.4 本章小结117 参考文献117第6章 离子注入机120 6.1 离子注入相关原理120 6.2 离子注入设备结构123 6.3 国内外市场分析131 6.3.1 离子注入设备市场概述131 6.3.2 国外相关设备概述132 6.3.3 国内相关设备概述134 6.4 本章小结135 参考文献135第7章 薄膜淀积设备138 7.1 原理介绍138 7.1.1 物理气相淀积139 7.1.2 化学气相淀积144 7.2 设备发展153 7.2.1 物理气相淀积设备153 7.2.2 化学气相淀积设备154 7.3 国内外市场分析155 7.3.1 薄膜淀积设备市场概述155 7.3.2 国外主要淀积设备157 7.3.3 国内主要淀积设备167 7.4 本章小结172 参考文献173第8章 集成电路检测设备175 8.1 检测原理176 8.1.1 前道量检测176 8.1.2 后道检测186 8.2 国内外市场分析191 8.2.1 检测设备市场分析191 8.2.2 国外检测设备龙头企业及其设备介绍193 8.2.3 国内检测设备龙头企业及其设备介绍209 8.3 本章小结210 参考文献210第9章 化学机械抛光设备213 9.1 化学机械抛光设备原理213 9.2 化学机械抛光设备发展214 9.3 化学机械抛光设备与耗材市场分析215 9.3.1 CMP设备市场分析215 9.3.2 CMP耗材市场分析219 9.4 本章小结222 参考文献222第10章 集成电路封装设备224 10.1 封装工艺流程224 10.2 封装工艺发展227 10.3 国内外市场分析231 10.3.1 半导体芯片封装设备市场分析231 10.3.2 国外封装设备龙头企业及其设备介绍233 10.3.3 国内封装设备龙头企业及其设备介绍244 10.4 本章小结246 参考文献246后记248第4章 光刻及光刻设备72 4.1 光刻原理72 4.2 光刻耗材75 4.2.1 光刻胶75 4.2.2 显影液76 4.2.3 掩模版76 4.3 光刻机分类77 4.4 光刻机原理78 4.5 光刻机演变史80 4.5.1 国外光刻机发展史80 4.5.2 中国光刻机发展史82 4.6 光刻市场现状83 4.6.1 国外相关设备概述84 4.6.2 国内光刻市场概述89 4.7 本章小结90 参考文献91第5章 刻蚀设备95 5.1 原理介绍95 5.1.1 湿法刻蚀原理96 5.1.2 干法刻蚀原理98 5.2 刻蚀设备100 5.2.1 干法刻蚀设备原理100 5.2.2 干法刻蚀设备发展105 5.3 国内外市场分析109 5.3.1 刻蚀设备市场概述109 5.3.2 国外刻蚀设备市场分析110 5.3.3 国内刻蚀设备市场分析115 5.4 本章小结120 参考文献120第6章 离子注入机123 6.1 离子注入相关原理123 6.2 离子注入设备结构126 6.3 国内外市场分析134 6.3.1 离子注入设备市场概述134 6.3.2 国外相关设备概述135 6.3.3 国内相关设备概述137 6.4 本章小结138 参考文献138第7章 薄膜淀积设备141 7.1 原理介绍141 7.1.1 物理气相淀积142 7.1.2 化学气相淀积147 7.2 设备发展156 7.2.1 物理气相淀积设备156 7.2.2 化学气相淀积设备157 7.3 国内外市场分析158 7.3.1 薄膜淀积设备市场概述158 7.3.2 国外主要淀积设备160 7.3.3 国内主要淀积设备170 7.4 本章小结175 参考文献176第8章 集成电路检测设备178 8.1 检测原理179 8.1.1 前道量检测179 8.1.2 后道检测189 8.2 国内外市场分析194 8.2.1 检测设备市场分析194 8.2.2 国外检测设备龙头企业及其设备介绍196 8.2.3 国内检测设备龙头企业及其设备介绍212 8.3 本章小结213 参考文献213第9章 化学机械抛光设备216 9.1 化学机械抛光设备原理216 9.2 化学机械抛光设备发展217 9.3 化学机械抛光设备与耗材市场分析218 9.3.1 CMP设备市场分析218 9.3.2 CMP耗材市场分析222 9.4 本章小结225 参考文献225第10章 集成电路封装设备227 10.1 封装工艺流程227 10.2 封装工艺发展230 10.3 国内外市场分析234 10.3.1 半导体芯片封装设备市场分析234 10.3.2 国外检测设备龙头企业及其设备介绍236 10.3.3 国内检测设备龙头企业及其设备介绍247 10.4 本章小结249 参考文献249第11章 总结252
内容简介
本书是围绕集成电路芯片发展和新一代信息产业技术领域(集成电路及专用设备)等重大需求,编著的集成电路芯片制程设备通识书籍。集成电路芯片作为信息时代的基石,是各国竞相角逐的“国之重器”,也是一个国家高端制造能力的综合体现。芯片制程设备位于集成电路产业链的上游,贯穿芯片制造全过程,是决定产业发展的关键一环。本书首先介绍了集成电路芯片制程及其设备,并着重分析了芯片制程设备的国内外市场环境;然后,针对具体工艺技术涉及的设备,详细综述了设备原理及市场情况;并对我国集成电路芯片制程设备的发展做了总结展望。本书可为制造业企业和研究机构提供参考,也可供对集成电路芯片制程设备感兴趣的读者阅读。
品牌:机械工业出版社ISBN编号:9787111702344书名:图解入门:半导体制造工艺基础精讲:原书第4版
作者:佐藤淳一作者地区:日本定价:99.00元
书名:图解入门:半导体制造工艺基础精讲:原书第4版是否是套装:否出版社名称:机械工业出版社
出版时间:2022-01
图解入门——半导体制造工艺基础精讲(原书第4版)
作 者:佐藤淳一
定 价:99.00元
ISBN 号:9787111702344
页 数:208
出 版 社:机械工业出版社
内容简介
《图解入门——半导体制造工艺基础精讲(原书第4版)》以图解的方式深入浅出地讲述了半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为12章,包括半导体制造工艺全貌、前段制程概述、清洗和干燥湿法工艺、离子注入和热处理工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、成膜工艺、平坦化 (CMP)工艺、CMOS工艺流程、后段制程工艺概述、后段制程的趋势、半导体工艺的*新动向。
本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对半导体制造工艺感兴趣的职场人士和学生等阅读参考。
目录
言
第1章 半导体制造工艺全貌/
1-1半导体工艺简介/
各种半导体产品/
为什么称为半导体工艺?/
1-2前段制程和后段制程的区别/
前段制程和后段制程的最大区别/
晶圆厂的差异/
1-3循环型的前段制程半导体工艺/
什么是循环型工艺?/
几种基本的组合/
1-4前端工艺和后端工艺/
为何要分前端工艺和后端工艺?/
温度耐受的差异/
1-5什么是硅晶圆?/
为什么是硅?/
半导体的特性是什么?/
1-6硅晶圆是如何制造的?/
作为原料的多晶硅的纯度是11个9/
缓慢拉起的单晶硅/
1-7硅的特性是什么?/
硅的同类有哪些?/
硅的特点/
1-8硅晶圆所需的洁净度/
硅晶圆和颗粒/
其他污染/
1-9硅晶圆在fab中的使用方法/
硅晶圆的实际应用/
不只用于产品制造的晶圆的使用方法/
防止生产线中的相互污染/
1-10晶圆的大直径化/
为什么要大直径化?/
从200mm至 300mm/
1-11与产品化相关的后段制程/
包装为什么是黑色的?/
封装的趋势/
1-12后段制程使用的工艺是什么?/
后段制程的流程/
后段制程工厂是什么样的?/
第2章 前段制程概述/
2-1追求微细化的前段制程工艺/
摩尔定律/
微细化是如何发展起来的?/
2-2批量制造芯片的前段制程/
批量生产的优点/
与 LCD 面板的比较/
2-3在没有“等待”的工艺中进行必要的检查和监控/
半导体工艺独有的思路/
监控的必要性/
2-4前段制程fab的全貌/
什么是洁净室?/
工厂需要哪些设备?/
2-5fab的生产线构成——什么是Bay方式?/
为什么选择Bay方式?/
实际生产线的运行/
2-6晶圆厂需要尽早提升良品率/
为什么要尽早启动?/
如何提高初期成品率?/
第3章 清洗和干燥湿法工艺/
3-1始终保持洁净的清洗工艺/
为什么每次都需要清洗?/
仅对表面进行清洗处理是不够的/
3-2清洗方法和机理/
清洗方法/
什么是超声波清洗?/
3-3基础清洗——RCA清洗/
什么是RCA清洗?/
RCA清洗的挑战/
3-4新清洗方法的例子/
新的清洗方法/
未来的清洗方法/
3-5批量式和单片式之间的区别/
什么是批量式?/
什么是单片式?/
3-6吞吐量至关重要的清洗工艺/
清洗设备的吞吐量/
无载具清洗机/
3-7清洗后必不可少的干燥工艺/
什么是水渍?/
干燥方法/
3-8新的干燥工艺/
什么是马兰戈尼干燥?/
什么是罗塔戈尼干燥?/
3-9湿法工艺和干法清洗/
为什么是湿法工艺?/
完全干法清洗的尝试/
第4章 离子注入和热处理工艺/
4-1注入杂质的离子注入技术/
离子注入技术之前/
什么是离子注入?/
4-2需要高真空的离子注入工艺/
什么是离子注入机?/
离子束扫描是什么样子的?/
4-3用于不同目的的离子注入工艺/
各式各样的扩散层/
具有不同加速能量和束电流的离子注入工艺/
4-4离子注入后的晶格恢复处理/
什么是硅晶格?/
杂质原子的作用/
4-5各种热处理工艺/
恢复晶格的方法/
用什么方法进行热处理?/
4-6最新的激光退火工艺/
什么是激光退火设备?/
激光退火和RTA之间的区别是什么?/
4-7LSI制造和热预算/
什么是杂质的分布曲线?/
半导体材料的耐热性和热预算/
第5章 光刻工艺/
5-1复制图形的光刻工艺/
什么是光刻工艺?/
光刻工艺流程/
光刻是减法工艺/
5-2光刻工艺的本质就是照相/
与日光照相相同的接触式曝光/
缩小投影的好处/
5-3推动微细化的曝光技术的演变/
分辨率和焦深/
光源和曝光设备的历史/
5-4掩膜版和防尘薄膜/
什么是掩膜版?/
什么是防尘薄膜?/
套刻/
5-5相当于相纸的光刻胶/
光刻胶种类/
感光机理/
什么是化学放大光刻胶?/
5-6涂布光刻胶膜的涂胶机/
光刻胶涂布工艺/
光刻胶涂布的实际情况/
5-7曝光后必需的显影工艺/
显影机理/
实际的显影工艺和设备/
5-8去除不要的光刻胶灰化工艺/
灰化工艺的机理/
灰化工艺和设备/
5-9浸液曝光技术现状/
为什么要使用浸液?/
浸液式曝光技术的原理与问题/
5-10什么是双重图形?/
浸液的极限是什么?/
多种方法的双重图形技术/
5-11追求进一步微细化的EUV 技术/
什么是 EUV曝光技术?/
EUV 技术的挑战与展望/
5-12纳米压印技术/
什么是纳米压印技术?/
与光刻的比较/
纳米压印分类/
纳米压印的可能性/
第6章 刻蚀工艺/
6-1刻蚀工艺流程和刻蚀偏差/
刻蚀工艺流程是什么?/
刻蚀偏差是什么?/
6-2方法多样的刻蚀工艺/
适应各种材料/
适应各种形状/
6-3刻蚀工艺中不可或缺的等离子体/
等离子体生成机理/
离子体电势/
6-4RF(射频)施加方式有什么不同?/
什么是干法刻蚀设备?/
阴极耦合的优点/
6-5各向异性的机理/
什么是刻蚀反应?/
利用侧壁保护效果/
6-6干法刻蚀工艺的挑战/
针对新材料的刻蚀工艺/
什么是深槽刻蚀?/
第7章 成膜工艺/
7-1LSI功能不可或缺的成膜工艺/
LSI和成膜/
LSI 剖面所看到的薄膜形成示例/
7-2方法多样的成膜工艺/
各种成膜方法/
成膜的参数/
7-3受基底形状影响的成膜工艺/
适应什么样的形状?/
成膜机理/
7-4直接氧化晶圆的氧化工艺/
为什么是氧化硅膜?/
硅热氧化机理/
7-5热CVD和等离子体CVD/
热CVD工艺的机理/
什么是等离子CVD法?/
7-6金属膜所需要的溅射工艺/
溅射的原理/
溅射方法的优点和缺点/
7-7Cu(铜)布线不可缺少的电镀工艺/
为什么要使用电镀法?/
电镀工艺的挑战/
7-8Low-k(低介电常数)膜所使用的涂布工艺/
为什么要使用涂布工艺?/
涂布工艺的挑战/
7-9High-k栅极堆叠工艺/
栅极材料的历史/
High-k栅极堆叠技术/
ALD工艺基础/
7-10Cu/Low-k工艺/
为什么使用Cu/Low-k?/
从成膜的角度来看,Cu/Low-k的挑战/
第8章 平坦化(CMP)工艺/
8-1多层布线不可或缺的CMP工艺/
为什么使用CMP工艺?/
到CMP为止的工艺流程/
8-2采用先进光刻技术的CMP工艺/
拯救焦深下降的CMP/
需要 CMP的工序/
8-3回归湿法工艺的CMP设备/
CMP设备是什么样的?/
与其他半导体工艺设备相比的CMP设备/
8-4消耗品多的CMP工艺/
有什么样的消耗品?/
需要的性质是什么/
8-5CMP的平坦化机理/
普雷斯顿公式/
实际的CMP机理/
8-6应用于Cu/Low-k的CMP工艺/
双大马士革技术的背景/
双大马士革的流程是什么?/
8-7课题堆积如山的CMP工艺/
CMP的缺陷是什么?/
CMP的图形(Pattern)依赖性/
第9章 CMOS工艺流程/
9-1什么是CMOS?/
CMOS的必要性/
CMOS的基本结构/
-2CMOS的效果/
什么是反相器?/
CMOS反相器的工作原理/
9-3CMOS结构制造(之一)器件间隔离区域/
什么是器件间隔离?/
从LOCOS到 STI/
实际的流程是什么?/
间隙填充的沉积技术/
9-4CMOS结构制造(之二)阱形成/
什么是阱?/
实际的流程是什么样?/
9-5晶体管形成(之一)栅极形成/
什么是栅极?/
自对准工艺/
实际的流程是什么样?/
9-6晶体管形成(之二)源极/漏极/
什么是源极和漏极?/
实际流程是什么样?/
9-7电极形成(钨塞形成)/
什么是钨塞?/
实际流程是什么样?/
被称为循环型的原因/
9-8后端工艺/
为什么需要多层布线?/
多层布线的实际情况/
第10章 后段制程工艺概述/
10-1去除不良品的晶圆测试/
淘汰不良品的意义是什么?/
什么是晶圆测试?/
10-2使晶圆变薄的减薄工艺/
减薄的意义是什么?/
减薄工艺是什么?/
10-3切割出芯片的划片/
如何切割晶圆?/
半切割和全切割/
10-4粘贴芯片/
什么是贴片?/
贴片方法/
10-5电气连接的引线键合/
与引线框架的连接/
引线键合的机理/
10-6封装芯片的注塑/
注塑工艺的流程/
脂注入和固化/
10-7产品的打标和引线成形/
什么是打标?/
什么是引线成形?/
10-8最终检验流程/
后段制程的检验流程是什么?/
什么是老化系统?/
最终检查/
11章 后段制程的趋势/
11-1连接时没有引线的无引线键合/
什么是 TAB?/
什么是 FCB?/
11-2无须引线框架的 BGA/
没有引线框架的意义是什么?/
什么是植球?/
11-3旨在实现多功能的 SiP/
什么是 SiP?/
从封装技术来看 SiP/
11-4真实芯片尺寸的晶圆级封装/
什么是晶圆级封装?/
晶圆级封装的流程/
OSAT 是什么?后段制程fab的趋势/
第12章 半导体工艺的最新动向/
12-1路线图和“路线图外”/
什么是半导体技术路线图?/
那段历史如何?/
一味微细化的休止符/
什么是“路线图外”?/
12-2站在十字路口的半导体工艺微细化/
硅的微细化极限/
各种路线的梳理/
什么是技术助推器?/
从其他的视角看/
12-3More Moore所必需的NGL/
微细化的极限/
该级别的光刻胶形状是什么样?/
NGL的候选技术是哪一个?/
双重图形的定位/
延长寿命的策略/
其他候选/
12-4EUV技术趋势/
EUV设备上的巨大差异/
光刻胶工艺是什么?/
未来的发展是什么?/
12-5450mm晶圆趋势/
晶圆大口径化的历史/
晶圆450mm化的来历/
实际的障碍/
硅晶片的世代交替/
12-6半导体晶圆厂的多样化/
超级晶圆厂的终点站/
旧生产线向More than Moore的转向/
晶圆厂未来的课题/
12-7贯通芯片的 TSV(Through Silicon Via)/
深槽刻蚀的必要性/
际的TSV流程/
12-8对抗More Moore的三维封装/
三维封装的流程/
从Scaling规则看三维封装/
什么是Chiplet?
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