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| 书名： | 纳米集成电路制造工艺(第2版) 清华 |
| 出版社： | 清华大学出版社 |
| 出版日期： | 2017 |
| ISBN号： | 9787302452331 |
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| 本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。 再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。 |
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| 张汝京(Richard Chang)，1948年出生于江苏南京，毕业于台湾大学机械工程学系，于布法罗纽约州立大学获得工程科学硕士学位，并在南方卫理公会大学获得电子工程博士学位。曾在美国德州仪器工作20年。他成功地在美国、日本、新加坡、意大利及中国台湾地区创建并管理10个集成电路工厂的技术开发及运营。1997年加入世大集成电路（WSMC）并出任总裁。2000年4月创办中芯国际集成电路制造（上海）有限公司并担任总裁。2012年创立昇瑞光电科技（上海）有限公司并出任总裁，主要经营LED等及其配套产品的开发、设计、制造、测试与封装等。2014年6月创办上海新昇半导体科技有限公司并出任总裁, 承担国家科技重大专项（简称“02专项”）的核心工程——“40—28纳米集成电路制造用300毫米硅片”项目。张博士拥有超过30年的半导体芯片研发和制造经验。2005年4月，荣获中华人民共和国国务院颁发国际科学技术合作奖。2006年获颁中国半导体业领军人物称号。2008年3月，被半导体国际杂志评为2007年度人物并荣获SEMI中国产业卓越贡献奖。2012年成为上海市千人计划专家。2014年于上海成立新昇半导体科技有限公司，从事300毫米高端大硅片的研发、制造与行销。 |
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| 超大规模集成电路的生产工艺，从“微米级”到“纳米级”发生了许多根本上的变化。甚至，从45nm缩小至28nm（以及更小的线宽）也必须使用许多新的生产观念和技术。 张汝京先生是随着半导体产业的发展成长起来的领军人物，见证了几个技术世代的兴起与淘汰。他本人有着深厚的学术根基，以及丰富的产业经验，其带领的团队是多年来在顶级半导体代工厂一线工作的科研人员，掌握了业界领先的制造工艺。他们处理实际问题的经验以及从产业出发的独特技术视角，相信会给读者带来启发和帮助。 |
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| 第1章半导体器件
1．1N型半导体和P型半导体
1．2PN结二极管
1．2．1PN结自建电压
1．2．2理想PN结二极管方程
1．3双极型晶体管
1．4金属氧化物半导体场效应晶体管
1．4．1线性模型
1．4．2非线性模型
1．4．3阈值电压
1．4．4衬底偏置效应
1．4．5亚阈值电流
1．4．6亚阈值理想因子的推导
1．5CMOS器件面临的挑战
1．6结型场效应晶体管
1．7肖特基势垒栅场效应晶体管
1．8高电子迁移率晶体管 ...................... |
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| 再版前言
在20世纪40年代，贝尔实验室的科学先贤们发明了晶体管； 到了20世纪50年代，德州仪器公司和仙童公司的科技大师们分别发明并推展了集成电器的生产技术； 至20世纪6070年代，大规模生产半导体器件的技术在美国、欧洲及亚洲也蓬勃发展开来； 20世纪80年代迄今，超大型集成电路的设计和生产工艺继续不断以惊人的速度，几乎按着“摩尔定律”不断地加大半导体器件的集成度，而超大型芯片在“线宽”(CD)上也以倍数的形式进行着细微化。自2000年起集成电路的线宽也从“微米级”进入了“纳米级”。2010年起我国先进的半导体生产工艺也从45nm延伸至28nm以及更小的线宽。超大规模集成电路的生产工艺，从“微米级”到“纳米级”发生了许多根本的变化。甚至，从45nm缩小至28nm(以及更小的线宽)也必须使用许多新的生产观念和技术。 清华大学的王志华教授于2010年就提议由国内熟悉这类工艺的学者、专家、工程师们共同编撰一本较为先进的半导体工艺教科书，同时也可以供半导体厂的工作人员作为参考资料之用，内容要包含45nm、32nm至28nm(或更细微化)的工艺技术。本人非常荣幸有机会来邀请国内该领域的部分学者、专家和工程师们共同编写这本书。本书的初稿是用英文写作的，国内学校的许多老师和半导体业界的先贤、朋友们希望我们能用中文发行这本书，好让更多的研究所学生、工程师及科研同行更容易阅读并使用本书。我们接着邀请清华大学的教授、老师们将全书翻译成中文，同时也与各方联系取得引用外部资料的许可，清华大学出版社的编辑也帮我们进行编辑加工。几经审稿、改订，本书的第一版历时四年多终于完成编写工作！ 本书共分19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化、器件参数与工艺相关性，DFM(Design for Manufacturing)、集成电路检测与分析、集成电路的可靠性、生产控制、良率提升、芯片测试与芯片封装等项目和课题。我们在此要特别感谢每一章的作者，他们将所知道的最新技术和他们实际工作的经验，尽力地在书中向我们科技界的朋友们一一阐述，也感谢他们为发展祖国的集成电路科技和协助提升同行朋友们的工艺水平做出的贡献！ 我们在此特别提名感谢各位作者。第1章半导体器件由肖德元、张汝京与陈昱升撰写； 第2章集成电路制造工艺发展趋势由卢炯平撰写； 第3章CMOS逻辑电路及存储器制造流程由季明华、梅绍宁、陈俊、霍宗亮、肖德元与张汝京撰写； 第4章电介质薄膜沉积工艺由向阳辉、何有丰、荆学珍与周鸣撰写； 第5章应力工程由卢炯平撰写； 第6章金属薄膜沉积工艺及金属化由杨瑞鹏、何伟业与聂佳相撰写； 第7章光刻技术由伍强、时雪龙、顾一鸣与刘庆炜撰写； 第8章干法刻蚀由张海洋与刘勇撰写； 第9章集成电路制造中的污染和清洗技术由刘焕新撰写； 第10章超浅结技术由卢炯平撰写； 第11章化学机械平坦化由陈枫、刘东升与蒋莉撰写； 第12章器件参数和工艺相关性由陈昱升撰写； 第13章可制造性设计由张立夫撰写； 第14章半导体器件失效分析由郭志蓉与牛崇实撰写； 第15章集成电路可靠性介绍由吴启熙与郭强撰写； 第16章集成电路测量由高强与陈寰撰写； 第17章良率改善由范良孚撰写； 第18章测试工程由林山本撰写； 第19章芯片封装由严大生等撰写。若不是以上各位学者、专家和朋友们的撰写、审稿和改正，全心全力的投入带来宝贵的成果，这本书将无法完成！也感谢中芯国际集成电路有限公司提供的许多非常宝贵的协助！ 半导体技术，特别是集成电路技术日新月异。本书自2014年6月出版发行，受到国内从事半导体产业的科技工作者、工程技术人员、高等院校研究生与教师的普遍欢迎，他们提出了许多有益意见与建议，希望本书能够再版。借此机会向他们一并表示感谢！再版时我们加强了半导体器件方面内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。 我们也要再次感谢清华大学的各位老师(王志华教授、李铁夫、杨轶博士)和清华大学出版社自始至终的鼓励、支持和鼎力相助，正是在他们的帮助下，这本书才能完成并展现在广大读者的面前！希望这本书能够以实际资料来支持国内半导体产业的学者、专家、技术工作者和研究生们独有的创新和发明，让我们的半导体产业与日俱进，从制造到创造，再创华夏辉煌盛世！
张汝京敬上2016年10月于上海 |
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