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  • 全新正版氮化镓微波功率器件9787560668451西安科技大学出版社
    • 作者: 马晓华,郑雪峰,张进成编著著 | 马晓华,郑雪峰,张进成编著编 | 马晓华,郑雪峰,张进成编著译 | 马晓华,郑雪峰,张进成编著绘
    • 出版社: 西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2023-09
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    • 作者: 马晓华,郑雪峰,张进成编著著| 马晓华,郑雪峰,张进成编著编| 马晓华,郑雪峰,张进成编著译| 马晓华,郑雪峰,张进成编著绘
    • 出版社:西安电子科技大学出版社
    • 出版时间:2023-09
    • ISBN:9787560668451
    • 版权提供:西安电子科技大学出版社
    • 作者:马晓华,郑雪峰,张进成编著
    • 著:马晓华,郑雪峰,张进成编著
    • 装帧:暂无
    • 印次:暂无
    • 定价:108.00
    • ISBN:9787560668451
    • 出版社:西安科技大学出版社
    • 开本:暂无
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2023-09
    • 页数:暂无
    • 外部编号:14342215
    • 版次:暂无
    • 成品尺寸:暂无

    章绪论

    1.1背景

    1.2氮化镓材料研究进展

    1.3氮化镓微波功率器件研究进展

    1.4氨化镓微波功率器件可靠进展

    参考文献

    第2章氨化物材料MOCVD生长技术

    2.1 GaN材料基本特及MOCVD生长技术

    2.1.1 GaN 材料的基本特

    2.1.2 MOCVD方法生长GaN简介

    2.2磁控溅AlN基板生长GaN 薄膜技术

    2.2.1磁控溅AIN特简介

    2.2.2磁控溅AlN基板上GaN材料生长及表

    征2..磁控溅AlN基板位错抑制机理分析

    .微纳球掩膜部分接触式横向外延过生长技术

    ..1部分接触式横向外延过生长简介

    ..2微纳球掩膜技术外延薄膜材料表征

    ..微纳球掩膜技术外延机理分析

    2.4斜切衬底上N面GaN材料生长技术

    2.4.1 N面GaN材料简介..

    2.4.2斜切衬底上N面GaN 材料生长

    2.4.3斜切衬底上N面GaN材料位错湮灭机理分析

    2.5InGaN沟道异质结

    2.5.1 InGaN沟道异质结特简介

    2.5.2 InGaN沟道异质结基本特表征

    2.5.3 InGaN沟道异质结电学特分析

    参考文献

    ……

    第3章氨化镓微波功率器件技术

    制4章微波功率器件新型工艺

    第5章微波功率器件建模

    第6章新型氨化镓微波功率器件

    氮化镓微波功率器件出现至今,无论是其技术还是应用均取得了快展,目前已广泛应用于新一代移动通信、相控阵雷达等领域,成为产业领域关注的焦点。为了进一步推动氮化镓知识的普及,加大读者对氮化镓技术的了解,本书作者结合研究团队多年的研究及技术实践特意编撰了此书。本书共6章,包括绪论、氮化物材料MCVD生长技术、氮化镓微波功率器件技术、微波功率器件新型工艺、微波功率器件建模技术、新型氮化镓微波功率器件。

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