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全新正版半导体材料及器件的辐效应9787118119299国防工业出版社
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目录 章 辐环境 1.1 引言 1.2 辐环境的种类 1.3 小结 第2章 辐效应相关的半导体基础知识 2.1 引言 2.2 本征半导体及非本征半导体 . 半导体中载流子的产生及复合 2.4 载流子的迁移率 2.5 pn结二级管 2.6 肖特基结二极管 2.7 MOS电容及MOSFET 2.8 直接有辐环境的半导体工艺 2.9 小结 第3章 辐效应的一般概念 3.1 引言 3.2 辐剂量学 3.3 电离辐效应 3.4 位移损伤 3.5 辐损伤对器件特的影响 3.6 常用辐缺陷分析方法概述3.7 小结 第4章 半导体材料的辐效应。 4.1 引言 4.2 Si的辐效应 4.3 Ge的辐效应 4.4 SiGe的辐效应 4.5 GaAs的辐效应 4.6 SiC的辐效应 4.7 小结 第5章 Si器件的辐效应 5.1 引言 5.2 Si双极器件的辐效应 5.3 Si 场效应器件的辐效应 5.4 小结 第6章 GaAs半导体器件的辐效应 6.1 引言 6.2 GaAsMESFET的辐效应 6.3 GaAsHEMT的辐效应 6.4 GaAsHBT的辐效 6.5 小结 第7章 光器件的辐效应7.1 引言 7.2 光电器件的结构及工作 7.3 基本的辐效应及材料问题 7.4 光电器件的辐效应 7.5 小结 第8章 Si集成电路的辐效应及加固技术 8.1 引言 8.2 Si双极集成电路的辐效应及加固技术 8.3 SiCMOS集成电路的辐效应及加固技术 8.4 小结 第9章 纳米级CMOS集成电路的辐效应及加固技术 引言 9.2 纳米级CMOS集成电路的发展概况 9.3 CMOS集成电路缩比过程中的重要改进 9.4 纳米级CMOS集成电路的辐效应研究概况 9.5 小结 0章 半导器件辐效应的一些新研究动向10.1 引言 10.2 航空及地面的单粒子效应 10.3 综合辐环境下的辐效应 10.4. 重离子引起的半导体器件微剂量效应及微损伤效应 10.5 宽带隙SiC及GaN半导体功率器件的辐效应 10.6 小结 1章 辐效应模拟试验及测试技术 11.1 引言 11.2 电离总剂量辐的模拟试验及测试技术 11.3 瞬态剂量率辐的模拟试验及测试技术 11.4 单粒子辐模拟试验及测试技术 11.5 中子辐的模拟试验及测试技术 11.6 小结
刘忠立,长期从事辐加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究。现任微研究所特聘研究员,传感技术重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国学会核辐电磁脉冲专委会委员。 高见头,男,硕士,微研究所不错,长期从事半导体集成电路与功率器件辐照能力评估与抗辐照加固工作,在NSREC、TNS等靠前外会议、期刊发表数十篇。
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