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  • [正版]碳化硅功率器件 特性 测试和应用技术 碳化硅功率器件基本原理特性测试方法及应用技术书 SiC器件电路设计书 机械
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    • 作者: 无著
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2021-06
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    • 作者: 无著
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2021-06
    • ISBN:9787626199508
    • 版权提供:机械工业出版社

                                                        店铺公告

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    D4

    ISBN编号: 9787111681755

    书名: 碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术

    作者: 高远   陈桥梁

    定价: 99.00元

    出版社名称: 机械工业出版社

    出版时间: 2021-06

    页  数:311

     

    本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术,概括了近年学术界和工业界的新研究成果。本书共分为九个章节:功率半导体器件基础、SiC MOSFET参数解读、测试及应用、双脉冲测试、SiC与Si器件特性对比、高di/dt影响与应对 - 关断电压尖峰、高dv/dt影响与应对 – Crosstalk、共源极电感的影响与应对、驱动电路设计。

    电力电子新技术系列图书序言

    前言

    1章功率半导体器件基础1

    1.1Si功率器件1

    1.1.1Si功率二极管1

    1.1.2Si功率MOSFET5

    1.1.3Si IGBT9

    1.2SiC功率器件12

    1.2.1SiC半导体材料特性12

    1.2.2SiC功率器件发展现状15

    参考文献25

    延伸阅读26

    2章SiC MOSFET参数的解读、测试及应用29

    2.1大值29

    2.1.1击穿电压29

    2.1.2热阻抗31

    2.1.3大耗散功率和大漏极电流32

    2.1.4安全工作域33

    2.2静态特性35

    2.2.1传递特性和阈值电压35

    2.2.2输出特性和导通电阻35

    2.2.3体二极管和三象限导通特性38

    2.3动态特性39

    2.3.1结电容39

    2.3.2开关特性40

    2.3.3栅电荷47

    2.4参数测试48

    2.4.1I-V特性测试48

    2.4.2结电容测试50

    2.4.3栅电荷测试53

    2.4.4测试设备53

    2.5FOM值55

    2.6器件建模与仿真58

    2.7器件损耗计算63

    2.7.1损耗计算方法63

    2.7.2仿真软件66

    参考文献68

    延伸阅读70

    3章双脉冲测试技术75

    3.1功率变换器换流模式75

    3.2双脉冲测试基础79

    3.2.1双脉冲测试原理79

    3.2.2双脉冲测试参数设定82

    3.2.3双脉冲测试平台85

    3.3测量挑战90

    3.3.1示波器90

    3.3.2电压探头104

    3.3.3电流传感器115

    3.3.4时间偏移118

    3.3.5寄生参数121

    3.4双脉冲测试设备126

    参考文献130

    延伸阅读132

    4章SiC器件与Si器件特性对比135

    4.1SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET135

    4.1.1静态特性135

    4.1.2动态特性137

    4.2SiC MOSFET和Si IGBT145

    4.2.1传递特性145

    4.2.2输出特性145

    4.2.3动态特性146

    4.2.4短路特性152

    4.3SiC二极管和Si二极管154

    4.3.1导通特性154

    4.3.2反向恢复特性155

    延伸阅读162

    5章高di/dt的影响与应对——关断电压过冲163

    5.1关断电压过冲的影响因素163

    5.2应对措施1——回路电感控制165

    5.2.1回路电感与局部电感165

    5.2.2PCB线路电感167

    5.2.3器件封装电感168

    5.3应对措施2——去耦电容170

    5.3.1电容器基本原理170

    5.3.2去耦电容基础172

    5.3.3小信号模型分析176

    5.4应对措施3——降低关断速度184

    参考文献186

    延伸阅读187

    6章高dv/dt的影响与应对——crosstalk188

    6.1crosstalk基本原理188

    6.1.1开通crosstalk189

    6.1.2关断crosstalk191

    6.2关键影响因素194

    6.2.1等效电路分析194

    6.2.2实验测试方案与结果195

    6.3应对措施1——米勒钳位200

    6.3.1晶体管型米勒钳位200

    6.3.2IC集成有源米勒钳位202

    6.4应对措施2——驱动回路电感控制206

    6.4.1驱动回路电感对米勒钳位的影响206

    6.4.2封装集成206

    参考文献212

    延伸阅读213

    7章高dv/dt的影响与应对——共模电流214

    7.1信号通路共模电流214

    7.1.1功率变换器中的共模电流214

    7.1.2信号通路共模电流特性217

    7.2应对措施1——高CMTI驱动芯片219

    7.3应对措施2——高共模阻抗223

    7.3.1减小隔离电容223

    7.3.2共模电感224

    7.4应对措施3——共模电流疏导225

    7.4.1Y电容225

    7.4.2并行供电226

    7.4.3串联式驱动电路227

    7.5差模干扰测量227

    7.5.1常规电压探头227

    7.5.2电源轨探头229

    参考文献235

    延伸阅读236

    8章共源极电感的影响与应对238

    8.1共源极电感238

    8.1.1共源极电感及其影响238

    8.1.2开尔文源极封装241

    8.2对比测试方案242

    8.2.1传统对比测试方案242

    8.2.24-in-4和4-in-3对比测试方案244

    8.3对开关过程的影响245

    8.3.1开通过程245

    8.3.2关断过程249

    8.3.3开关能量与dVDS/dt253

    8.4对crosstalk的影响257

    8.4.1开通crosstalk257

    8.4.2关断crosstalk261

    参考文献265

    延伸阅读266

    9章驱动电路设计267

    9.1驱动电路基础267

    9.1.1驱动电路架构与发展267

    9.1.2驱动电路各功能模块269

    9.2驱动电阻取值275

    9.3驱动电压280

    9.3.1SiC MOSFET对驱动电压的要求280

    9.3.2关断负电压的提供281

    9.4驱动级特性的影响283

    9.4.1 输出峰值电流283

    9.4.2BJT和MOSFET电流Boost284

    9.4.3米勒斜坡下的驱动能力287

    9.5信号隔离传输292

    9.5.1隔离方式292

    9.5.2安规与缘295

    9.6短路保护300

    9.6.1短路保护的检测方式301

    9.6.2DESAT短路保护303

    参考文献306

    延伸阅读309

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