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全新半导体的检测与分析(第二版)许振嘉 主编9787030194626
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前言章 引论 1.1 科学内容 1.2 实验技术 1.3 展望 参考文献第2章 半导体晶体的高分辨X线衍 2.1 引言 2.2 半导体晶体结构与结构缺陷 . X线平面波的衍 2.4 高分辨X线衍的限束 2.5 异质外延多层膜的X线双晶衍 2.6 三轴衍 2.7 晶格参数的测量 2.8 镶嵌结构的测量 2.9 镜面反与面掠入 参考文献 附录第3章 光学质检测分析 3.1 引言 3.2 半导体光致发光 3.3 半导体的阴极荧光 3.4 吸引光谱及其相关的薄膜光谱测量方法 3.5 拉曼散 参考文献第4章 表面和薄膜成分分析 4.1 引言 4.2 俄歇能谱 4.3 X线光谱 4.4 二次离子质谱 4.5 卢瑟福背散 参考文献 附录第5章 扫描探针显微学在半导体中的运用 5.1 引言 5.2 扫描隧道显微镜的基本原理 5.3 用STM分析表面结构 5.4 扫描隧道谱 5.5 弹道发显微镜 5.6 原子力显微镜 5.7 原子力显微镜用于表面分析 5.8 扫描电容显微镜 5.9 静电力显微镜 5.10 磁力显微镜 5.11 扫描近场光学显微镜 5.12 原子操纵与纳米加工 参考文献第6章 透显微学及其在半导体研究 6.1 引言 6.2 透显微镜的基本构造及工作原理 6.3 显微像衬度 6.4 技术 6.5 应用实例 6.6 结语 参考文献 附录第7章 半导体深中心的表征 7.1 深能级瞬态谱技术 参考文献 7.2 热激电流 参考文献
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