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  • 音像微器件基础兰慕杰 来逢昌
  • 正版
    • 作者: 兰慕杰 来逢昌著 | 兰慕杰 来逢昌编 | 兰慕杰 来逢昌译 | 兰慕杰 来逢昌绘
    • 出版社: 哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2020-09-01
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    • 作者: 兰慕杰 来逢昌著| 兰慕杰 来逢昌编| 兰慕杰 来逢昌译| 兰慕杰 来逢昌绘
    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 出版时间:2020-09-01
    • 版次:1
    • 印次:1
    • 字数:580000
    • 页数:364
    • 开本:16开
    • ISBN:9787560385952
    • 版权提供:哈尔滨工业大学出版社
    • 作者:兰慕杰 来逢昌
    • 著:兰慕杰 来逢昌
    • 装帧:平装-胶订
    • 印次:1
    • 定价:59.80
    • ISBN:9787560385952
    • 出版社:哈尔滨工业大学出版社
    • 开本:16开
    • 印刷时间:暂无
    • 语种:暂无
    • 出版时间:2020-09-01
    • 页数:364
    • 外部编号:1202120019
    • 版次:1
    • 成品尺寸:暂无


    章 pn结二极管
    1.1 pn结的形成及平衡状态
    1.2 pn结的直流特
    1.3 pn结空间电荷区和势垒电容
    1.4 pn结的小信号交流特
    1.5 pn结的击穿特
    1.6 pn结二极管的开关特
    1.7 pn结二极管的类型
    思考与练习
    第2章 双极型晶体管的直流特
    2.1 晶体管的基本结构和杂质分布
    2.2 晶体管的放大机理
    . 晶体管的直流伏安特及电流增益
    2.4 晶体管的反向电流及击穿电压
    2.5 双极型晶体管的直流特曲线
    2.6 基极电阻
    2.7 埃伯尔斯-莫尔(Ebers-Moll)模型
    思考与练习
    第3章 双极型晶体管的频率特
    3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数
    3.2 晶体管交流特的理论分析
    3.3 晶体管的高频参数及等效电路
    3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数
    3.5 晶体管电流放大系数的频率关系
    3.6 晶体管的高频功率增益和*振荡频率
    3.7 工作条件对晶体管fr、Kpm的影响
    思考与练习
    第4章 双极型晶体管的功率特
    4.1 集电极优选允许工作电流IcM
    4.2 基区大注人效应对电流放大系数的影响
    4.3 有效基区扩展效应
    4.4 发极电流集边效应
    4.5 晶体管优选耗散功率PcM
    4.6 二次击穿和安全工作区
    思考与练习
    第5章 双极型晶体管的开关特
    5.1 开关晶体管的静态特
    5.2 晶体管的开关过程和开关时间
    5.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降
    思考与练习
    第6章 结型栅场效应晶体管
    6.1 JFET基本结构和工作原理
    6.2 JFET的直流特与低频小信号参数
    6.3 JFET的交流特
    6.4 JFET的功率特
    6.5 JFET和MESFET结构举例
    思考与练习
    第7章 MOS场效应晶体管
    7.1 MOSFET基本结构和工作原理
    7.2 MOSFET的阈值电压
    7.3 MOSFET的伏安特和直流特曲线
    7.4 MOSFET的频率特
    7.5 MOSFET的功率特和功率MOSFET的结构
    7.6 MOSFET的开关特
    7.7 MOSFET的击穿特
    7.8 MOSFET的温度特
    7.9 MOSFET的短沟道和窄沟道效应
    思考与练习
    第8章 晶体管的噪声特
    8.1 晶体管的噪声和噪声系数
    8.2 晶体管的噪声源
    8.3 pn结二极管的噪声
    8.4 双极型晶体管的噪声特
    8.5 JFET和MESFET的噪声特
    8.6 MOSFET的噪声特
    思考与练习
    第9章 类型的微器件
    9.1 晶闸管
    9.2 异质结双极晶体管
    9.3 静电感应晶体管
    9.4 绝缘栅双极晶体管
    9.5 单结晶体管
    9.6 双极反型沟道场效应晶体管
    9.7 穿通型晶体管
    附录
    附录I 常温下要半体的物理质
    附录Ⅱ 常用介质膜的物理参数
    附录Ⅲ 常用物理常数表
    附录Ⅳ 硅电阻率与杂质浓度的关系(300K)
    附录V 硅中迁移率与杂质浓度的关系
    附录Ⅵ 扩散结势垒电容和势垒宽度关系曲线
    附录VII 硅中扩散层平均电导与表面浓度、结深关系
    附录VIII 半导体分立器件型号命名法
    参考文献



     《微器件基础》重点介绍pn结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、工作原理、直流特、频率特、功率特和开关特,以及描述这些特的有关参数;简要介绍晶闸管、异质结双极晶体管、静电感应晶体管、绝缘栅双极晶体管、单结晶体管、双极反型沟道场效应晶体管和穿通型晶体管等微器件的基本概念、结构和工作原理。《微器件基础》配有PPT等教学资源。《微器件基础》可作为普通高等学校科学与技术、集成电路设计、微学等专业生相关课程的教材,也可供相关专业生、以及从事微技术相关工作的科研及工程技术人员阅读参考。

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