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宽禁带功率半导体器件可靠性孙伟峰刘斯扬魏家行李胜张龙著东南大学出版社9787576601534正版书籍
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宽禁带功率半导体器件可靠性 |
图书定价: | 58.00 |
出版单位: | 东南大学出版社 |
出版时间: | 2024年09月 |
图书开本: | |
图书作者: | 孙伟峰刘斯扬魏家行李胜张龙 |
图书页数: | |
ISBN书号: | 9787576601534 |
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点,相比传统的Si基功率器件,可简化功率电子系统拓扑结构,减小系统损耗和体积,因而对功率电子系统的发展至关重要。然而,由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善,器件界面缺陷密度大等问题,使得宽禁带功率器件在高温、高压、大电流及快速开关等 限条件下长期应用时,可靠性问题频发,严重制约了宽禁带功率半导体器件的推广应用。
本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理,并讲述了相关表征方法及寿命模型,同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构,对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。
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