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  • 功率半导体器件基础 (美)巴利加(B.Jayant Baliga) 著;韩郑生 等 译 著 大中专 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: (美)巴利加(B.Jayant Baliga) 著;韩郑生 等 译著
    • 出版社: 电子工业出版社
    • 出版时间:2013-02-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: (美)巴利加(B.Jayant Baliga) 著;韩郑生 等 译著
    • 出版社:电子工业出版社
    • 出版时间:2013-02-01 00:00:00
    • 版次:1
    • 印次:3
    • 印刷时间:2016-04-01
    • 字数:1095000
    • 页数:566
    • 开本:16开
    • 装帧:平装
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:电子工业出版社

    功率半导体器件基础

    作  者:(美)巴利加(B.Jayant Baliga) 著;韩郑生 等 译 著
    定  价:99
    出 版 社:电子工业出版社
    出版日期:2013年02月01日
    页  数:566
    装  帧:平装
    ISBN:9787121195259
    主编推荐

    内容简介

    本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性,内容以硅功率半导体器件为主,同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始,依次介绍了各类常用的功率半导体器件,采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式,辅助大量详实的图表数据,帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。

    作者简介

    巴利加教授是国际公认功率半导体技术的引领者。

    精彩内容

    目录
    第1章绪论
    1.1理想和典型的功率开关模型
    1.2理想和典型的功率器件参数
    1.3单极功率器件
    1.4双极功率器件
    1.5MOS双极功率器件
    1.6单极功率器件的理想漂移区
    1.7电荷耦合结构:理想的特征导通电阻
    1.8小结
    习题
    参考文献
    第2章材料特性和传输物理
    2.1基本特性
    2.1.1本征载流子浓度
    2.1.2带隙变窄
    2.1.3内建电势
    2.1.4零偏置耗尽宽度
    2.1.5碰撞电离系数
    2.1.6载流子迁移率
    2.2电阻率
    2.2.1本征电阻率
    2.2.2非本征电阻率
    2.2.3中子嬗变掺杂
    2.3复合寿命
    2.3.1Shockley-Read-Hall复合
    2.3.2小注入寿命
    2.3.3空间电荷产生寿命
    2.3.4复合能级优化
    2.3.5寿命控制
    2.3.6俄歇复合
    2.4欧姆接触
    2.5小结
    习题
    参考文献
    第3章击穿电压
    3.1雪崩击穿
    3.1.1碰撞电离系数的幂定律近似
    3.1.2倍增系数
    3.2突变一维二极管
    3.3理想比通态电阻
    3.4突变穿通二极管
    3.5线性缓变结二极管
    3.6边缘终端
    3.6.1平面结终端
    3.6.2带浮空场环的平面结
    3.6.3带多重浮空场环的平面结
    3.6.4带场板的平面结
    3.6.5带场板与场环的平面结
    3.6.6斜角边缘终端
    3.6.7腐蚀终端
    3.6.8结终端扩展
    3.7基极开路晶体管击穿
    3.7.1复合斜角终端
    3.7.2双正斜角终端
    3.8表面钝化
    3.9小结
    习题
    参考文献
    第4章肖特基整流器
    4.1功率肖特基整流器结构
    4.2金属一半导体接触
    4.3正向导通
    4.4反向阻断
    4.4.1漏电流
    4.4.2肖特基势垒降低
    4.4.3击穿前雪崩倍增
    4.4.4碳化硅整流器
    4.5器件电容
    4.6散热考虑
    4.7基本折中分析
    4.8器件工艺
    4.9势垒高度调整
    4.10边缘终端
    4.11小结
    习题
    参考文献
    第5章P-i-N整流器
    5.1一维结构
    5.1.1复合电流
    5.1.2小注入电流
    5.1.3大注入电流
    5.1.4末端区的注入
    5.1.5载流子间的散射效应
    5.1.6俄歇复合效应
    5.1.7正向导通特性
    5.2碳化硅P-i-N整流器
    5.3反向阻断
    5.4开关特性
    5.4.1正向恢复
    5.4.2反向恢复
    5.5带缓冲层的P-i-N整流器结构
    5.6非穿通型P-i-N整流器结构
    5.7P-i-N整流器的折中曲线
    5.8小结
    习题
    参考文献
    第6章功率MOS场效应晶体管
    6.1理想的特征导通电阻
    6.2器件元胞结构和工作原理
    6.2.1V-MOSFET结构
    6.2.2VD-MOSFET结构
    6.2.3U-MOSFET结构
    6.3器件基本特性
    6.4阻断电压
    6.4.1终端的影响
    6.4.2渐变掺杂分布的影响
    6.4.3寄生双极型晶体管的影响
    6.4.4元胞节距的影响
    6.4.5栅形状的影响
    6.4.6元胞表面布局的影响
    6.5正向导通特性
    6.5.1MOS界面物理特性
    6.5.2MOS表面电荷分析
    6.5.3优选耗尽宽度
    6.5.4阈值电压
    6.5.5沟道电阻
    6.6功率MOSFET导通电阻
    6.6.1源接触电阻
    6.6.2源区电阻
    6.6.3沟道电阻
    6.6.4积累电阻
    6.6.5JFET电阻
    6.6.6漂移区电阻
    6.6.7N+衬底电阻
    6.6.8漏接触电阻
    6.6.9总导通电阻
    6.7功率VD-MOSFET元胞优化
    6.7.1栅电极宽度的优化
    6.7.2击穿电压的影响
    6.7.3设计规则的影响
    6.7.4元胞布局的影响
    6.8功率U-MOSFET的导通电阻
    6.8.1源接触电阻
    6.8.2源区电阻
    6.8.3沟道电阻
    6.8.4积累区电阻
    6.8.5漂移区电阻
    6.8.6N+衬底电阻
    6.8.7漏极接触电阻
    6.8.8总导通电阻
    6.9功率U-MOSFET结构的元胞优化
    6.9.1垂直P型基区的接触孔结构
    6.9.2击穿电压影响
    6.9.3可靠性优化
    6.10平方关系的传输特性
    6.11超线性传输特性
    6.12输出特性
    6.13器件电容
    6.13.1基本MOS电容
    6.13.2功率VD-MOSFET结构的电容
    6.13.3功率U-MOSFET结构的电容
    6.13.4等效电路
    6.14栅电荷
    6.14.1栅电荷提取
    6.14.2电压与电流关系
    6.14.3VD-MOSFET与U-MOSFET结构比较
    6.14.4元胞节距对VD-MOSFET结构与U-MOSFET结构的影响
    6.15高频工作优化
    6.15.1输入开关损耗
    6.15.2输出开关损耗
    6.15.3栅信号延迟
    6.16开关特性
    6.16.1开启瞬态
    6.16.2关断瞬态
    6.16.3开关功率损耗
    6.16.4(dV/dt)能力
    6.17安全工作区
    6.17.1双极型晶体管二次击穿
    6.17.2MOS二次击穿
    6.18内部体二极管
    6.18.1反向恢复优化
    6.18.2寄生双极型晶体管影响
    6.19高温特性
    6.19.1阈值电压
    6.19.2导通电阻
    6.19.3饱和区跨导
    6.20互补器件
    6.20.1P沟道结构
    6.20.2导通电阻
    6.20.3深槽结构
    6.21硅功率MOSFET制造工艺
    6.21.1平面VD-MOSFET工艺
    6.21.2槽形U-MOSFET工艺
    6.22碳化硅器件
    6.22.1巴利加对(Baliga-Pair)构造
    6.22.2平面功率MOSFET结构
    6.22.3屏蔽型平面功率MOSFET结构
    6.22.4屏蔽型槽栅功率MOSFET结构
    6.23小结
    习题
    参考文献
    第7章双极结型晶体管
    ……
    第8章晶闸管
    第9章绝缘栅双极晶体管
    第10章应用综述

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