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  • 半导体制造工艺 第2版 张渊 著 大中专 文轩网
  • 新华书店正版
    • 作者: 张渊著
    • 出版社: 机械工业出版社
    • 出版时间:2021-12-01 00:00:00
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         https://product.suning.com/0070067633/11555288247.html

     

    商品参数
    • 作者: 张渊著
    • 出版社:机械工业出版社
    • 出版时间:2021-12-01 00:00:00
    • 版次:2
    • 印次:6
    • 印刷时间:2021-12-01
    • 字数:360
    • 页数:252
    • 开本:16开
    • 装帧:平装
    • ISBN:9787111507574
    • 国别/地区:中国
    • 版权提供:机械工业出版社

    半导体制造工艺 第2版

    作  者:张渊 著
    定  价:49.8
    出 版 社:机械工业出版社
    出版日期:2021年12月01日
    页  数:252
    装  帧:平装
    ISBN:9787111507574
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    内容简介

    本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品,以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程,工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。

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    目录前言章绪论1.1引言1.2基本半导体元器件结构1.2.1无源元件结构1.2.2有源器件结构1.3半导体器件工艺的发展历史1.4集成电路制造阶段1.4.1集成电路制造的阶段划分1.4.2集成电路时代划分1.4.3集成电路制造的发展趋势1.5半导体制造企业1.6基本的半导体材料1.6.1硅——最常见的半导体材料1.6.2半导体级硅1.6.3单晶硅生长1.6.4IC制造对衬底材料的要求1.6.5晶体缺陷1.6.6其他半导体材料1.7半导体制造中使用的化学品1.8半导体制造的生产环境1.8.1净化间沾污类型1.8.2污染源与控制1.8.3典型的纯水制备方法本章小结本章习题第2章半导体制造工艺概况2.1引言2.2器件的隔离2.2.1PN结隔离2.2.2绝缘体隔离2.3双极型集成电路制造工艺2.4CMOS器件制造工艺2.4.120世纪80年代的CMOS工艺技术2.4.220世纪90年代的CMOS工艺技术2.4.321世纪初的CMOS工艺技术本章小结本章习题第3章清洗工艺3.1引言3.2污染物杂质的分类3.2.1颗粒3.2.2有机残余物3.2.3金属污染物3.2.4需要去除的氧化层3.3清洗方法3.3.1RCA清洗3.3.2稀释RCA清洗3.3.3IMEC清洗3.3.4单晶圆清洗3.3.5干法清洗3.4常用清洗设备——超声波清洗设备3.4.1超声波清洗原理3.4.2超声波清洗机3.4.3超声波清洗机的工艺流程3.4.4超声波清洗机的操作流程3.4.5其他清洗设备3.5清洗的质量控制本章小结本章习题第4章氧化4.1引言4.2二氧化硅膜的性质4.3二氧化硅膜的用途4.4热氧化方法及工艺原理4.4.1常用热氧化方法及工艺原理4.4.2影响氧化速率的因素4.5氧化设备4.6氧化工艺操作流程4.7氧化膜的质量控制4.7.1氧化膜厚度的测量4.7.2氧化膜缺陷类型及检测4.7.3不同方法生成的氧化膜特性比较本章小结本章习题第5章化学气相淀积5.1引言5.1.1薄膜淀积的概念5.1.2常用的薄膜材料5.1.3半导体制造中对薄膜的要求5.2化学气相淀积(CVD)原理5.2.1化学气相淀积的概念5.2.2化学气相淀积的原理5.3化学气相淀积设备5.3.1APCVD5.3.2LPCVD5.3.3等离子体辅助CVD5.4CVD工艺流程及设备操作规范5.5外延5.5.1外延的概念、作用、原理5.5.2外延生长方法5.5.3硅外延工艺5.6CVD质量检测本章小结本章习题第6章金属化6.1引言6.1.1金属化的概念6.1.2金属化的作用6.2金属化类型6.2.1铝6.2.2铝铜合金6.2.3铜6.2.4阻挡层金属6.2.5硅化物6.2.6钨6.3金属淀积6.3.1蒸发6.3.2溅射6.3.3金属CVD6.3.4铜电镀6.4金属化流程6.4.1传统金属化流程6.4.2双大马士革流程6.5金属化质量控制本章小结本章习题第7章光刻7.1引言7.1.1光刻的概念7.1.2光刻的目的7.1.3光刻的主要参数7.1.4光刻的曝光光谱7.1.5光刻的环境条件7.1.6掩膜版7.2光刻工艺的基本步骤7.3正性光刻和负性光刻7.3.1正性光刻和负性光刻的概念7.3.2光刻胶7.3.3正性光刻和负性光刻的优缺点7.4光刻设备简介7.4.1接触式光刻机7.4.2接近式光刻机7.4.3扫描投影光刻机7.4.4分步重复光刻机7.4.5步进扫描光刻机7.5光刻工艺机简介及操作流程7.5.1URE2000/25光刻机简介7.5.2光刻机操作流程7.6光刻质量控制7.6.1光刻胶的质量控制7.6.2对准和曝光的质量控制7.6.3显影检查本章小结本章习题第8章刻蚀8.1引言8.1.1刻蚀的概念8.1.2刻蚀的要求8.2刻蚀工艺8.2.1湿法刻蚀8.2.2干法刻蚀8.2.3两种刻蚀方法的比较8.3干法刻蚀的应用8.3.1介质膜的刻蚀8.3.2多晶硅膜的刻蚀8.3.3金属的干法刻蚀8.3.4光刻胶的去除8.4刻蚀设备8.5干法刻蚀工艺流程及设备操作规范8.6刻蚀的质量控制本章小结本章习题第9章掺杂9.1引言9.2扩散9.2.1扩散原理9.2.2扩散工艺步骤9.2.3扩散设备、工艺参数及其控制9.2.4常用扩散杂质源9.3离子注入9.3.1离子注入原理9.3.2离子注入的重要参数9.3.3离子注入掺杂工艺与扩散掺杂工艺的比较9.4离子注入机9.4.1离子注入机的组成及工作原理9.4.2离子注入工艺及操作规范9.4.3离子注入使用的杂质源及注意事项9.5退火9.6离子注入关键工艺控制9.7离子注入的应用9.7.1沟道区及阱区掺杂9.7.2多晶硅注入9.7.3源漏区注入9.8掺杂质量控制9.8.1结深的测量及分析9.8.2掺杂浓度的测量9.8.3污染本章小结本章习题0章平坦化10.1引言10.2传统平坦化技术10.2.1反刻10.2.2玻璃回流10.2.3旋涂玻璃法10.3化学机械平坦化10.3.1CMP优点和缺点10.3.2CMP机理10.3.3CMP设备10.3.4CMP工艺流程及工艺控制10.3.5CMP应用10.4CMP质量控制10.4.1膜厚的测量及非均匀性分析10.4.2硅片表面状态的观测方法及分析本章小结本章习题1章工艺模拟11.1引言11.1.1工艺模型11.1.2工艺模拟器简介11.1.3Athena 基础11.2氧化工艺模拟11.3淀积工艺模拟11.4光刻工艺模拟11

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