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纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化:从电路级到系统级 靳松、韩银和 著 专业科技 文轩网
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纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化:从电路级到系统级
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本书主要涉及在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应——负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响,并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。
靳松,博士,副教授,硕士生导师。2007.9一2011.7在中国科学院计算技术研究所攻读博士学位。毕业后进入华北电力大学电气与电子工程学院电子与通信工程系任教。研究方向为可靠计算,大规模集成电路设计、测试及验证。讲授数字电子技术基础和嵌入式系统设计课程。作为负责人主持国家自然科学基金一项、河北省自然科学基金两项、横向课题若干。发表SCI检索论文十余篇,EI检索期刊和会议论文三十余篇。
第3章面向工作负载的电路 老化分析和预测 一般来说,设计者会在集成电路的设计阶段保留一定的定时余量以容忍电路在其服役期内由于老化效应(如NBTI效应)所增加的时延。定时余量的大小通常是根据假定的电路在其服役期内经历最差工作条件而导致的老化来决定的。然而,由于大多数的芯片在其服役期内很少经历最差的工作条件,在设计阶段所做出的这种基于最差情况的电路老化预测是比较保守和悲观的,会导致保留的定时余量过大,从而减小了可以提供的电路优选操作频率。 实际上,NBTI效应导致的电路老化强烈地依赖于一些环境因素和工作条件,比如芯片的工作温度、供电电压,特别是芯片执行功能操null
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