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    6inch SOI Wafer

    Device Layer:
    Diameter: 150 ± 0.5 mm
    Type/Dopant: P/B
    Orientation:
    Resistivity: >10,000 ohm-cm
    Thickness: 20±1um
    Surface: Polished


    BOX Layer Thickness: 1um±5%


    Handle Wafer:
    Type/Dopant: P/B
    Orientation:
    Resistivity: >10,000 ohm-cm
    Thickness: 600 ± 10 um
    Surface: Polished
    Particles:<=20ea@>=0.3um

    最低起订量:25片

    售后保障

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